Transistoren

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IXTT20N50D IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 20A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 125nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.904
IXTT20P50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 500V 20A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5120pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.344
IXTT240N15X4HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 150V 240A TO-268HV Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 150V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 240A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 120A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8900pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 940W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268HV Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.236
IXTT24P20 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 24A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 24A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager3.510
IXTT26N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.894
IXTT26N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.580
IXTT2N170D2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1700V 2A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1700V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tj) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 0V Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 5V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3650pF @ 25V FET-Funktion: Depletion Mode Verlustleistung (max.): 568W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.132
IXTT2N300P3HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 3000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 21Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1890pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 155°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.598
IXTT30N50L IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.326
IXTT30N50L2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: Linear L2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 240nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 8100pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.082
IXTT30N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4150pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 460W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.994
IXTT30N60L2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: Linear L2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10700pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.946
IXTT30N60P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 30A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5050pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.264
IXTT34N65X2HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 650V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 34A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268HV Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.254
IXTT360N055T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 360A TO268 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 360A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 330nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 20000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 935W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager4.536
IXTT36N50P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3 Hersteller: IXYS Serie: PolarHV™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.020
IXTT36P10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 36A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 36A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.976
IXTT3N200P3HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 3A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1860pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 520W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.786
IXTT40N50L2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 500V 40A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: Linear L2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 320nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager7.560
IXTT440N04T4HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single 40V/440A TRENCHT4 PWR MOSFET TO- Hersteller: IXYS Serie: TrenchT4™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 440A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.25mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 480nC @ 10V Vgs (Max): ±15V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 26000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 940W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.004
IXTT440N055T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 55V 440A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 55V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 440A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1000W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.316
IXTT48P20P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 200V 48A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarP™ FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 48A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 85mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 103nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 462W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.336
IXTT4N150HV IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 1500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 4A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44.5nC @ 10V Vgs (Max): ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 1576pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 280W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.420
IXTT500N04T2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 500A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: TrenchT2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 500A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 405nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 25000pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1000W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.562
IXTT50P085 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 85V 50A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 85V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager5.094
IXTT50P10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 100V 50A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 50A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager8.982
IXTT52N30P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 300V 52A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 300V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 52A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager3.276
IXTT60N10 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 60A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3200pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 300W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager2.394
IXTT60N20L2 IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 200V 60A TO268 Hersteller: IXYS Serie: Linear L2™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 60A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 10500pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 540W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager6.252
IXTT64N25P IXYS	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 250V 64A TO-268 Hersteller: IXYS Serie: PolarHT™ FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 250V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 64A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 500mA, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105nC @ 10V Vgs (Max): ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3450pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 400W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: TO-268 Paket / Fall: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA	Auf Lager4.176

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