IXTV22N60P
Nur als Referenz
| Teilenummer | IXTV22N60P |
| PNEDA Teilenummer | IXTV22N60P |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 22A PLUS220 |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.718 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IXTV22N60P Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IXTV22N60P |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
| Datenblatt |
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IXTV22N60P Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | PolarHV™ |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 22A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 350mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 10V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 400W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | PLUS220 |
| Paket / Fall | TO-220-3, Short Tab |
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Hersteller Global Power Technologies Group Serie - FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 500V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2.25A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 10V Vgs (Max) ±30V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 645pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 98.4W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket D-Pak Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
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