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IRLC3813EB Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.254
IRLC4030EB Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V DIE ON WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager3.580
IRLC8256ED Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager5.526
IRLC8259EB Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager6.660
IRLC8259ED Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager8.118
IRLC8743EB Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH WAFER Hersteller: Infineon Technologies Serie: * FET-Typ: - Technologie: - Drain to Source Voltage (Vdss): - Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): - Rds On (Max) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (Max) @ Id: - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: - Vgs (Max): - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: - FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Lieferantengerätepaket: - Paket / Fall: -	Auf Lager7.794
IRLD014 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager4.662
IRLD014PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.7A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager7.308
IRLD024 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager4.464
IRLD024PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 2.5A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 1.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 870pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager105.396
IRLD110 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager5.040
IRLD110PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 250pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager26.364
IRLD120 Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager8.964
IRLD120PBF Vishay Siliconix	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP Hersteller: Vishay Siliconix Serie: - FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 1.3A (Ta) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 780mA, 5V Vgs (th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (Max): ±10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 490pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 1.3W (Ta) Betriebstemperatur: -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp: Through Hole Lieferantengerätepaket: 4-DIP, Hexdip, HVMDIP Paket / Fall: 4-DIP (0.300", 7.62mm)	Auf Lager105.126
IRLH5030TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PQFN (5x6) Single Die Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager4.392
IRLH5030TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 13A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 94nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5185pF @ 50V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager33.180
IRLH5034TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4730pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager6.624
IRLH5034TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 29A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 4730pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 156W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager29.298
IRLH5036TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager3.276
IRLH5036TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 20A (Ta), 100A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 150µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 5360pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 160W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerVDFN	Auf Lager5.256
IRLH6224TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N CH 20V 28A PQFN 5X6 MM Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 105A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3710pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.762
IRLH6224TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6 Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 28A (Ta), 105A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3710pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 52W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.302
IRLH7134TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager4.716
IRLH7134TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 40V 26A 8PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Ta), 85A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58nC @ 4.5V Vgs (Max): ±16V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3720pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 3.6W (Ta), 104W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 8-PQFN (5x6) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager35.544
IRLHM620TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 26A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3620pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PQFN (3x3) Paket / Fall: 8-VQFN Exposed Pad	Auf Lager7.812
IRLHM620TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 20V 26A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 26A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3620pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PQFN (3x3) Paket / Fall: 8-PowerTDFN	Auf Lager3.942
IRLHM630TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PQFN (3x3) Paket / Fall: 8-VQFN Exposed Pad	Auf Lager6.894
IRLHM630TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET N-CH 30V 21A PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: N-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 21A (Ta), 40A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 20A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62nC @ 4.5V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 3170pF @ 25V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.7W (Ta), 37W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: PQFN (3x3) Paket / Fall: 8-VQFN Exposed Pad	Auf Lager3.258
IRLHS2242TR2PBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 5.8A 2X2 PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 877pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-PQFN (2x2) Paket / Fall: 6-PowerVDFN	Auf Lager3.078
IRLHS2242TRPBF Infineon Technologies	Transistoren - FETs, MOSFETs - Single MOSFET P-CH 20V 15A 2X2 PQFN Hersteller: Infineon Technologies Serie: HEXFET® FET-Typ: P-Channel Technologie: MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.: 7.2A (Ta), 15A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 8.5A, 4.5V Vgs (th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (Max): ±12V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds: 877pF @ 10V FET-Funktion: - Verlustleistung (max.): 2.1W (Ta), 9.6W (Tc) Betriebstemperatur: -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp: Surface Mount Lieferantengerätepaket: 6-PQFN (2x2) Paket / Fall: 6-PowerVDFN	Auf Lager2.520

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