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IRLC8259ED

IRLC8259ED

Nur als Referenz

Teilenummer IRLC8259ED
PNEDA Teilenummer IRLC8259ED
Beschreibung MOSFET N-CH WAFER
Hersteller Infineon Technologies
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Voraussichtliche Lieferung Nov 21 - Nov 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

IRLC8259ED Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIRLC8259ED
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

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IRLC8259ED Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
Serie*
FET-Typ-
Technologie-
Drain to Source Voltage (Vdss)-
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs-
Vgs (Max)-
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Lieferantengerätepaket-
Paket / Fall-

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IMZ120R350M1HXKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

CoolSiC™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1.2kV

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

15V, 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

350mOhm @ 2A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id

5.7V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.3nC @ 18V

Vgs (Max)

+23V, -7V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

182pF @ 800V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

60W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-4-1

Paket / Fall

TO-247-4

FDN304PZ

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

PowerTrench®

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2.4A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

52mOhm @ 2.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±8V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1310pF @ 10V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

500mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

SuperSOT-3

Paket / Fall

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

AOTF2210L

Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

200V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.5A (Ta), 13A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

90mOhm @ 13A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2065pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

8.3W (Ta), 36.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3F

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

STW26N60M2

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

MDmesh™ M2

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

20A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

165mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

34nC @ 10V

Vgs (Max)

±25V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1360pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

169W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

2N6782U

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3.5A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 2.25A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.1nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

800mW (Ta), 15W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

18-ULCC (9.14x7.49)

Paket / Fall

18-CLCC

Kürzlich verkauft

LTST-C191GKT

LTST-C191GKT

Lite-On Inc.

LED GREEN CLEAR CHIP SMD

SMAJ36A

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Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

1N5819HW-7-F

1N5819HW-7-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD123

FGH40N60SMD

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ON Semiconductor

IGBT 600V 80A 349W TO-247-3

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IC REG BOOST ADJ/12V 1.5A 8SOIC

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ON Semiconductor

IC INVERTER 6CH 6-INP 14SOIC

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Analog Devices

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IC DSP 16/32B 400MHZ 168CSBGA

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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 32M SPI 133MHZ 8SOP

NB-PTCO-157

NB-PTCO-157

TE Connectivity Measurement Specialties

SENSOR RTD 1KOHM 0.001% 2SIP