IRLHM630TRPBF
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| Teilenummer | IRLHM630TRPBF |
| PNEDA Teilenummer | IRLHM630TRPBF |
| Beschreibung | MOSFET N-CH 30V 21A PQFN |
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 3.258 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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IRLHM630TRPBF Ressourcen
| Marke | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | IRLHM630TRPBF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Single |
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IRLHM630TRPBF Technische Daten
| Hersteller | Infineon Technologies |
| Serie | HEXFET® |
| FET-Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 21A (Ta), 40A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 10V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.5mOhm @ 20A, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.1V @ 50µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 62nC @ 4.5V |
| Vgs (Max) | ±12V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3170pF @ 25V |
| FET-Funktion | - |
| Verlustleistung (max.) | 2.7W (Ta), 37W (Tc) |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Lieferantengerätepaket | PQFN (3x3) |
| Paket / Fall | 8-VQFN Exposed Pad |
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Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 24A (Ta), 136A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.3mOhm @ 24A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.25V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 4.5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 3970pF @ 15V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DIRECTFET™ MX Paket / Fall DirectFET™ Isometric MX |
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