Speicher-ICs

Speicher (46.590)
Speicher - Batterien (13)
Speicher - Konfigurations-Proms für FPGAs (578)
Speichercontroller (151)

Datensätze 47.332

Seite 1320/1578

Teilenummer	Beschreibung	Auf Lager
RM25C64DS-LSNI-T Adesto Technologies	Speicher IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC Hersteller: Adesto Technologies Serie: Mavriq™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: CBRAM® Technologie: CBRAM Speichergröße: 64kb (32B Page Size) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100µs, 2.5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-SOIC	Auf Lager8.028
RM25C64DS-LTAI-B Adesto Technologies	Speicher IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP Hersteller: Adesto Technologies Serie: Mavriq™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: CBRAM® Technologie: CBRAM Speichergröße: 64kb (32B Page Size) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100µs, 2.5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager6.606
RM25C64DS-LTAI-T Adesto Technologies	Speicher IC CBRAM 64K SPI 20MHZ 8TSSOP Hersteller: Adesto Technologies Serie: Mavriq™ Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: CBRAM® Technologie: CBRAM Speichergröße: 64kb (32B Page Size) Speicherschnittstelle: SPI Taktfrequenz: 20MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100µs, 2.5ms Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.65V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 8-TSSOP	Auf Lager5.688
RMLV0408EGSA-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-sTSOP	Auf Lager3.598
RMLV0408EGSA-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-sTSOP	Auf Lager7.452
RMLV0408EGSA-4S2#KA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-sTSOP	Auf Lager4.338
RMLV0408EGSA-4S2#KA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32STSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-TFSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-sTSOP	Auf Lager18.456
RMLV0408EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager8.820
RMLV0408EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager1.627
RMLV0408EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager2.124
RMLV0408EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-TSOP II	Auf Lager2.466
RMLV0408EGSP-4S2#CA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager4.032
RMLV0408EGSP-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 32SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 32-SOIC (0.450", 11.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 32-SOP	Auf Lager18.120
RMLV0414EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager5.688
RMLV0414EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager18.504
RMLV0414EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager3.870
RMLV0414EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager6.228
RMLV0416EGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (7.5x8.5)	Auf Lager9.336
RMLV0416EGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (7.5x8.5)	Auf Lager12.276
RMLV0416EGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2	Auf Lager3.080
RMLV0416EGSB-4S2#AA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2	Auf Lager1.553
RMLV0416EGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2	Auf Lager7.830
RMLV0416EGSB-4S2#HA1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP2 Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP2	Auf Lager3.852
RMLV0808BGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Auf Lager5.076
RMLV0808BGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Auf Lager5.760
RMLV0808BGSB-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager6.096
RMLV0808BGSB-4S2#HA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 44TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (1M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager3.474
RMLV0816BGBG-4S2#AC0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Auf Lager6.912
RMLV0816BGBG-4S2#KC0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (7.5x8.5)	Auf Lager8.802
RMLV0816BGSA-4S2#AA0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 8M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 8Mb (1M x 8, 512K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 45ns Zugriffszeit: 45ns Spannung - Versorgung: 2.4V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager14.976

«
‹
1
...
1317
1318
1319
1320 (current)
1321
1322
1323
...
1578
›
»

Send Message

Certifications

Speicher-ICs

Ressourcen

Unterstützung

Social Media

Need Help?
Send Message