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RMLV0414EGSB-4S2#HA0

RMLV0414EGSB-4S2#HA0

Nur als Referenz

Teilenummer RMLV0414EGSB-4S2#HA0
PNEDA Teilenummer RMLV0414EGSB-4S2-HA0
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
Hersteller Renesas Electronics America
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RMLV0414EGSB-4S2#HA0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRMLV0414EGSB-4S2#HA0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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RMLV0414EGSB-4S2#HA0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-TSOP II

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

10ns

Zugriffszeit

10ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

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Speichertyp

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

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-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

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Zugriffszeit

80ns

Spannung - Versorgung

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Speichertyp

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

100MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

7ns

Spannung - Versorgung

2.3V ~ 2.7V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Hersteller

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Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

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Speichergröße

128Kb (16K x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Taktfrequenz

1MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

500ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Montagetyp

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Paket / Fall

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