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RMLV0416EGBG-4S2#AC0

RMLV0416EGBG-4S2#AC0

Nur als Referenz

Teilenummer RMLV0416EGBG-4S2#AC0
PNEDA Teilenummer RMLV0416EGBG-4S2-AC0
Beschreibung IC SRAM 4M PARALLEL 48FBGA
Hersteller Renesas Electronics America
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RMLV0416EGBG-4S2#AC0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRMLV0416EGBG-4S2#AC0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
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RMLV0416EGBG-4S2#AC0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite45ns
Zugriffszeit45ns
Spannung - Versorgung2.7V ~ 3.6V
Betriebstemperatur-40°C ~ 85°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall48-TFBGA
Lieferantengerätepaket48-FBGA (7.5x8.5)

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Speichergröße

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Parallel

Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

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Betriebstemperatur

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

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Speichertyp

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Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

800MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

15ns

Zugriffszeit

20ns

Spannung - Versorgung

1.283V ~ 1.45V

Betriebstemperatur

0°C ~ 95°C (TC)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

128b (16 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

4ms

Zugriffszeit

3500ns

Spannung - Versorgung

2.5V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

0°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

Die

Lieferantengerätepaket

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

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