Speicher-ICs

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R1RP0416DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-SOJ	Auf Lager4.662
R1RP0416DSB-2LR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager8.118
R1RP0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager7.002
R1RP0416DSB-2PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager3.852
R1RP0416DSB-2PI#D1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager2.100
R1RP0416DSB-2PR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager7.668
R1RP0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager2.934
R1RW0408DGE-0PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher MICROCOMPUTER Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager2.088
R1RW0408DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager2.880
R1RW0408DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager4.986
R1RW0408DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager6.750
R1RW0416DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-SOJ	Auf Lager6.408
R1RW0416DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-SOJ	Auf Lager100
R1RW0416DSB-2LR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager2.754
R1RW0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager3.114
R1RW0416DSB-2PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager5.364
R1RW0416DSB-2PI#D0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager7.596
R1RW0416DSB-2PI#D1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager7.632
R1RW0416DSB-2PR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager7.110
R1RW0416DSB-2PR#D1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM IBIS ASYNC Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 3V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-TSOP II	Auf Lager7.452
R1WV3216RBG-7SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (7.5x8.5)	Auf Lager4.446
R1WV3216RBG-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 48BGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (7.5x8.5)	Auf Lager5.184
R1WV3216RBG-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 48FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-FBGA (7.5x8.5)	Auf Lager5.382
R1WV6416RBG-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (8.5x11)	Auf Lager8.136
R1WV6416RBG-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher 64M MCP(2X32M) ADV.SRAM 3V FBGA Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFBGA Lieferantengerätepaket: 48-TFBGA (8.5x11)	Auf Lager7.434
R1WV6416RSA-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32MBIT 48TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager972
R1WV6416RSA-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher 64M ADV LPSRAM, STACKED, TSOP, P Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager4.248
R1WV6416RSA-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 64M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager8.694
R1WV6416RSD-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP, Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II	Auf Lager8.982
R1WV6416RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher 64M ADV LPSRAM, STACKED, UTSOP, Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 64Mb (8M x 8, 4M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II	Auf Lager7.128

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