Speicher-ICs

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R1LV3216RSA-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager8.046
R1LV3216RSA-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager6.570
R1LV3216RSA-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 48TSOP I Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 48-TSOP I	Auf Lager8.622
R1LV3216RSD-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II	Auf Lager7.044
R1LV3216RSD-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II	Auf Lager6.588
R1LV3216RSD-7SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II	Auf Lager5.994
R1LV3216RSD-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 32M PARALLEL 52TSOP II Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 32Mb (4M x 8, 2M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 52-TFSOP (0.350", 8.89mm Width) Lieferantengerätepaket: 52-TSOP II	Auf Lager8.730
R1LV5256ESA-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager7.650
R1LV5256ESA-5SI#B1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager8.148
R1LV5256ESA-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager6.948
R1LV5256ESA-5SI#S1 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager12.846
R1LV5256ESA-5SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager2.970
R1LV5256ESA-5SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 55NS 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager4.950
R1LV5256ESA-7SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager7.164
R1LV5256ESA-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 70NS 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager8.190
R1LV5256ESA-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager7.596
R1LV5256ESA-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-TSSOP (0.465", 11.80mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-TSOP	Auf Lager6.426
R1LV5256ESP-5SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager15.924
R1LV5256ESP-5SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager5.868
R1LV5256ESP-5SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 55NS 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 55ns Zugriffszeit: 55ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager3.598
R1LV5256ESP-7SI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256K PARALLEL 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager6.912
R1LV5256ESP-7SI#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager7.434
R1LV5256ESP-7SR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.330", 8.40mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager2.304
R1LV5256ESP-7SR#S0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 256KBIT 70NS 28SOP Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns Zugriffszeit: 70ns Spannung - Versorgung: 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 28-SOIC (0.342", 8.69mm Width) Lieferantengerätepaket: 28-SOP	Auf Lager3.582
R1RP0408DGE-0PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher MICROCOMPUTER Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ns Zugriffszeit: 10ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager4.968
R1RP0408DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager4.572
R1RP0408DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager4.410
R1RP0408DGE-2PR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 36-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (512K x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 36-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 36-SOJ	Auf Lager8.658
R1RP0416DGE-2LR#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: 0°C ~ 70°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-SOJ	Auf Lager8.100
R1RP0416DGE-2PI#B0 Renesas Electronics America	Speicher IC SRAM 4M FAST 44-SOJ Hersteller: Renesas Electronics America Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: SRAM Technologie: SRAM Speichergröße: 4Mb (256K x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 12ns Zugriffszeit: 12ns Spannung - Versorgung: 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width) Lieferantengerätepaket: 44-SOJ	Auf Lager8.352

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