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R1RW0416DGE-2PR#B0

R1RW0416DGE-2PR#B0

Nur als Referenz

Teilenummer R1RW0416DGE-2PR#B0
PNEDA Teilenummer R1RW0416DGE-2PR-B0
Beschreibung IC SRAM 4M FAST 44-SOJ
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis
1 ---------- $238,1439
50 ---------- $226,9809
100 ---------- $215,8179
200 ---------- $204,6549
400 ---------- $195,3524
500 ---------- $186,0499
Auf Lager 100
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

R1RW0416DGE-2PR#B0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerR1RW0416DGE-2PR#B0
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
R1RW0416DGE-2PR#B0, R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt (Total Pages: 19, Größe: 162,23 KB)
PDFR1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Cover
R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 2 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 3 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 4 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 5 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 6 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 7 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 8 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 9 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 10 R1RW0416DGE-2PR#B0 Datenblatt Seite 11

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R1RW0416DGE-2PR#B0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatSRAM
TechnologieSRAM
Speichergröße4Mb (256K x 16)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz-
Schreibzykluszeit - Wort, Seite12ns
Zugriffszeit12ns
Spannung - Versorgung3V ~ 3.6V
Betriebstemperatur0°C ~ 70°C (TA)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall44-BSOJ (0.400", 10.16mm Width)
Lieferantengerätepaket44-SOJ

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Hersteller

ABLIC U.S.A. Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (128 x 16)

Speicherschnittstelle

SPI

Taktfrequenz

2MHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

8ms

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

1.8V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOP

70V9279S7PRFI8

IDT, Integrated Device Technology

Hersteller

IDT, Integrated Device Technology Inc

Serie

-

Speichertyp

Volatile

Speicherformat

SRAM

Technologie

SRAM - Dual Port, Synchronous

Speichergröße

512Kb (32K x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

7.5ns

Spannung - Versorgung

3V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

128-LQFP

Lieferantengerätepaket

128-TQFP (14x20)

M28W160CB70N6F TR

Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

-

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

16Mb (1M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

70ns

Zugriffszeit

70ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

48-TSOP

S29GL512S12TFVV20

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

120ns

Spannung - Versorgung

1.65V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 105°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

56-TFSOP (0.724", 18.40mm Width)

Lieferantengerätepaket

56-TSOP

S29GL256P11FFIS12

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

GL-P

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

256Mb (32M x 8)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

110ns

Zugriffszeit

110ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

64-LBGA

Lieferantengerätepaket

64-FBGA (13x11)

Kürzlich verkauft

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SD4933MR

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