Speicher-ICs

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MT47H256M4BT-37E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager4.824
MT47H256M4BT-3:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager4.428
MT47H256M4BT-5E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager4.950
MT47H256M4CF-25E:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager3.472
MT47H256M4CF-25E:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager8.514
MT47H256M4CF-25:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager2.502
MT47H256M4CF-3:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager2.214
MT47H256M4CF-3:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager4.986
MT47H256M4CF-3 IT:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager5.202
MT47H256M4HQ-187E:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x11.5)	Auf Lager3.508
MT47H256M4HQ-3:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x11.5)	Auf Lager5.544
MT47H256M4HQ-5E:E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x11.5)	Auf Lager2.538
MT47H256M4SH-25E:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager8.082
MT47H256M4SH-25E:M TR Micron Technology Inc.	Speicher IC SDRAM DDR2 1G 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (256M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager8.982
MT47H256M8EB-187E:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager7.416
MT47H256M8EB-187E:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager7.704
MT47H256M8EB-25E AIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager7.848
MT47H256M8EB-25E AIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager12.270
MT47H256M8EB-25E:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager11.349
MT47H256M8EB-25E:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager6.930
MT47H256M8EB-25E IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager14.514
MT47H256M8EB-25E IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager19.020
MT47H256M8EB-25E XIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager8.964
MT47H256M8EB-25E XIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager4.230
MT47H256M8EB-3:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager1.427
MT47H256M8EB-3:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (9x11.5)	Auf Lager5.436
MT47H256M8THN-25E:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-FBGA (8x10)	Auf Lager18.570
MT47H256M8THN-25E:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-FBGA (8x10)	Auf Lager6.408
MT47H256M8THN-25E IT:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-FBGA (8x10)	Auf Lager4.626
MT47H256M8THN-25E:M Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 63FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (256M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 63-TFBGA Lieferantengerätepaket: 63-FBGA (8x10)	Auf Lager6.570

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