Speicher-ICs

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MT47H128M16RT-25E:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager19.519
MT47H128M16RT-25E:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager3.222
MT47H128M16RT-25E IT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager7.092
MT47H128M16RT-25E IT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager4.050
MT47H128M16RT-25E XIT:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager5.418
MT47H128M16RT-25E XIT:C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: -40°C ~ 95°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager3.526
MT47H128M16RT-3:C Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 2G PARALLEL 84FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 2Gb (128M x 16) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 84-TFBGA Lieferantengerätepaket: 84-FBGA (9x12.5)	Auf Lager8.730
MT47H128M4B6-25:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager3.418
MT47H128M4B6-25E:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager8.424
MT47H128M4B6-3:D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager7.326
MT47H128M4BT-37E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager2.916
MT47H128M4CB-37E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager5.184
MT47H128M4CB-37E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 500ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager6.588
MT47H128M4CB-3:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager6.228
MT47H128M4CB-3:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 333MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 450ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager3.330
MT47H128M4CB-5E:B Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager5.994
MT47H128M4CB-5E:B TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-FBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA	Auf Lager3.942
MT47H128M4CF-187E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 350ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager6.714
MT47H128M4CF-25E:G Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager7.830
MT47H128M4CF-25E:G TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager8.424
MT47H128M4SH-25E:H Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager2.718
MT47H128M4SH-25E:H TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 512Mb (128M x 4) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 400MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 60-TFBGA Lieferantengerätepaket: 60-FBGA (8x10)	Auf Lager2.556
MT47H128M8B7-37E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager6.192
MT47H128M8B7-37E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager5.094
MT47H128M8B7-37E L:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager2.574
MT47H128M8B7-37E L:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 267MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 400ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager8.604
MT47H128M8B7-5E:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager8.298
MT47H128M8B7-5E:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager4.500
MT47H128M8B7-5E L:A Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager6.984
MT47H128M8B7-5E L:A TR Micron Technology Inc.	Speicher IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Volatile Speicherformat: DRAM Technologie: SDRAM - DDR2 Speichergröße: 1Gb (128M x 8) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 200MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 15ns Zugriffszeit: 600ps Spannung - Versorgung: 1.7V ~ 1.9V Betriebstemperatur: 0°C ~ 85°C (TC) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 92-VFBGA Lieferantengerätepaket: 92-FBGA (11x19)	Auf Lager5.562

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