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MT47H256M4BT-5E:A

MT47H256M4BT-5E:A

Nur als Referenz

Teilenummer MT47H256M4BT-5E:A
PNEDA Teilenummer MT47H256M4BT-5E-A
Beschreibung IC DRAM 1G PARALLEL 92FBGA
Hersteller Micron Technology Inc.
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MT47H256M4BT-5E:A Ressourcen

Marke Micron Technology Inc.
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerMT47H256M4BT-5E:A
KategorieHalbleiterSpeicher-ICsSpeicher
Datenblatt
MT47H256M4BT-5E:A, MT47H256M4BT-5E:A Datenblatt (Total Pages: 137, Größe: 7.581,3 KB)
PDFMT47H64M16BT-3:A TR Datenblatt Cover
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MT47H256M4BT-5E:A Technische Daten

HerstellerMicron Technology Inc.
Serie-
SpeichertypVolatile
SpeicherformatDRAM
TechnologieSDRAM - DDR2
Speichergröße1Gb (256M x 4)
SpeicherschnittstelleParallel
Taktfrequenz200MHz
Schreibzykluszeit - Wort, Seite15ns
Zugriffszeit600ps
Spannung - Versorgung1.7V ~ 1.9V
Betriebstemperatur0°C ~ 85°C (TC)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall92-VFBGA
Lieferantengerätepaket92-FBGA (11x19)

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Speichergröße

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Taktfrequenz

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Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

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Technologie

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Speichergröße

128Mb (8M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

90ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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Hersteller

Microchip Technology

Serie

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Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

EEPROM

Technologie

EEPROM

Speichergröße

2Kb (256 x 8)

Speicherschnittstelle

I²C

Taktfrequenz

400kHz

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

5ms

Zugriffszeit

900ns

Spannung - Versorgung

2.7V ~ 5.5V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Micron Technology Inc.

Hersteller

Micron Technology Inc.

Serie

*

Speichertyp

-

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Speichergröße

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Speicherschnittstelle

-

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

-

Zugriffszeit

-

Spannung - Versorgung

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

S29GL512S11DHA020

Cypress Semiconductor

Hersteller

Cypress Semiconductor Corp

Serie

Automotive, AEC-Q100, GL-S

Speichertyp

Non-Volatile

Speicherformat

FLASH

Technologie

FLASH - NOR

Speichergröße

512Mb (32M x 16)

Speicherschnittstelle

Parallel

Taktfrequenz

-

Schreibzykluszeit - Wort, Seite

60ns

Zugriffszeit

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Spannung - Versorgung

2.7V ~ 3.6V

Betriebstemperatur

-40°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

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Paket / Fall

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