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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (11.5x13)	Auf Lager2.070
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (11.5x13)	Auf Lager5.976
MT29RZ4B2DZZHHPS-18I.84F TR Micron Technology Inc.	Speicher MASSFLASH/LPDDR2 6G Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.394
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager3.024
MT29RZ4B2DZZHHTB-18I.80F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager6.480
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager2.880
MT29RZ4B2DZZHHTB-18W.80F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 4G PARALLEL 162VFBGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.626
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager5.400
MT29RZ4B2DZZHHWD-18I.84F TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager8.946
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager7.650
MT29RZ4B4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.824
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager6.210
MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (128M x 32)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 162-VFBGA Lieferantengerätepaket: 162-VFBGA (10.5x8)	Auf Lager21.900
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR2 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.544
MT29RZ4B4DZZNGPL-18WE.4U2 TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR2 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager4.140
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 6G DDR2 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.094
MT29RZ4C2DZZHGSK-18 W.80E TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 6G DDR2 Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager5.760
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager2.664
MT29RZ4C4DZZHGPL-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.208
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.744
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.960
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.712
MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.964
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager3.276
MT29RZ4C4DZZMGMF-18W.80C TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: Surface Mount Paket / Fall: 168-VFBGA Lieferantengerätepaket: 168-VFBGA (12x12)	Auf Lager4.284
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.840
MT29RZ4C4DZZMGMF-18 W.80U TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR 168BGA Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager8.550
MT29RZ4C4DZZMGMU-18 W.80U Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH 8G DDR Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: * Speichertyp: - Speicherformat: - Technologie: - Speichergröße: - Speicherschnittstelle: - Taktfrequenz: - Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: - Betriebstemperatur: - Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.132
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager3.600
MT29RZ4C8DZZMHAN-18W.80D TR Micron Technology Inc.	Speicher IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ Hersteller: Micron Technology Inc. Serie: - Speichertyp: Non-Volatile Speicherformat: FLASH, RAM Technologie: FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Speichergröße: 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) Speicherschnittstelle: Parallel Taktfrequenz: 533MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite: - Zugriffszeit: - Spannung - Versorgung: 1.8V Betriebstemperatur: -25°C ~ 85°C (TA) Montagetyp: - Paket / Fall: - Lieferantengerätepaket: -	Auf Lager6.354

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