MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR
Nur als Referenz
| Teilenummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18-W-80E-TR |
| Beschreibung | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.976 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Feb 25 - Mär 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 162-VFBGA |
| Lieferantengerätepaket | 162-VFBGA (11.5x13) |
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