MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR
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| Teilenummer | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR |
| PNEDA Teilenummer | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W-80U-TR |
| Beschreibung | IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ |
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 8.964 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR Ressourcen
| Marke | Micron Technology Inc. |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR |
| Kategorie | Halbleiter › Speicher-ICs › Speicher |
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MT29RZ4C4DZZMGGM-18W.80U TR Technische Daten
| Hersteller | Micron Technology Inc. |
| Serie | - |
| Speichertyp | Non-Volatile |
| Speicherformat | FLASH, RAM |
| Technologie | FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 |
| Speichergröße | 4Gb (256M x 16)(NAND), 4G (128M x 32)(LPDDR2) |
| Speicherschnittstelle | Parallel |
| Taktfrequenz | 533MHz |
| Schreibzykluszeit - Wort, Seite | - |
| Zugriffszeit | - |
| Spannung - Versorgung | 1.8V |
| Betriebstemperatur | -25°C ~ 85°C (TA) |
| Montagetyp | - |
| Paket / Fall | - |
| Lieferantengerätepaket | - |
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Hersteller Micron Technology Inc. Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH, RAM Technologie FLASH - NAND, Mobile LPDRAM Speichergröße 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz 166MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite - Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 1.7V ~ 1.95V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 137-TFBGA Lieferantengerätepaket 137-TFBGA (10.5x13) |
Hersteller Microchip Technology Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat EEPROM Technologie EEPROM Speichergröße 1Kb (128 x 8) Speicherschnittstelle I²C Taktfrequenz 400kHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 5ms Zugriffszeit 900ns Spannung - Versorgung 1.7V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Lieferantengerätepaket 8-MSOP |
Hersteller Serie - Speichertyp Non-Volatile Speicherformat NVSRAM Technologie NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Speichergröße 256Kb (32K x 8) Speicherschnittstelle Parallel Taktfrequenz - Schreibzykluszeit - Wort, Seite 70ns Zugriffszeit 70ns Spannung - Versorgung 4.5V ~ 5.5V Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 28-DIP Module (0.61", 15.49mm) Lieferantengerätepaket 28-DIP Module (18.42x37.72) |
Hersteller Winbond Electronics Serie SpiFlash® Speichertyp Non-Volatile Speicherformat FLASH Technologie FLASH - NOR Speichergröße 64Mb (8M x 8) Speicherschnittstelle SPI - Quad I/O, QPI Taktfrequenz 104MHz Schreibzykluszeit - Wort, Seite 50µs, 3ms Zugriffszeit - Spannung - Versorgung 2.7V ~ 3.6V Betriebstemperatur -40°C ~ 105°C (TA) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) Lieferantengerätepaket 16-SOIC |
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