VS-GT50TP60N
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| Teilenummer | VS-GT50TP60N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GT50TP60N |
| Beschreibung | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GT50TP60N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GT50TP60N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GT50TP60N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 85A |
| Leistung - max | 208W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.03nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration 2 Independent Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1400A Leistung - max 955000W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 1400A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 110nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Single Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 340A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 225A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 500µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 20nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP6 Lieferantengerätepaket SP6 |
Hersteller Microsemi Corporation Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Asymmetrical Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1700V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 75A Leistung - max 312W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 4.4nF @ 25V Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall SP4 Lieferantengerätepaket SP4 |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ NPT Konfiguration Three Phase Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50A Leistung - max 284W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 3.475nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall ECONO2 Lieferantengerätepaket - |
Hersteller Infineon Technologies Serie * IGBT-Typ - Konfiguration - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) - Strom - Kollektor (Ic) (max.) - Leistung - max - Vce (on) (Max) @ Vge, Ic - Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe - NTC-Thermistor - Betriebstemperatur - Montagetyp - Paket / Fall - Lieferantengerätepaket - |
