VS-GT50TP60N
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| Teilenummer | VS-GT50TP60N |
| PNEDA Teilenummer | VS-GT50TP60N |
| Beschreibung | IGBT 600V 85A 208W INT-A-PAK |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.902 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-GT50TP60N Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GT50TP60N |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GT50TP60N Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 85A |
| Leistung - max | 208W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 50A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 3.03nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-PAK (3 + 4) |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Field Stop Konfiguration Three Level Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 379A Leistung - max 1250W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 300A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 250µA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 23.3nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall Dual INT-A-PAK (4 + 8) Lieferantengerätepaket Dual INT-A-PAK |
