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VS-GT50TP60N Datenblatt

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Vishay Semiconductor Diodes Division
Dieses Datenblatt behandelt 1 Teilenummern: VS-GT50TP60N
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VS-GT50TP60N

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

208W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.03nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

INT-A-PAK (3 + 4)

Lieferantengerätepaket

INT-A-PAK