VS-GA200HS60S1
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| Teilenummer | VS-GA200HS60S1 |
| PNEDA Teilenummer | VS-GA200HS60S1 |
| Beschreibung | IGBT 600V 480A 830W |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 7.596 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Jun 19 - Jun 24 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
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VS-GA200HS60S1 Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-GA200HS60S1 |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Module |
| Datenblatt |
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VS-GA200HS60S1 Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | - |
| Konfiguration | Half Bridge |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 480A |
| Leistung - max | 830W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.21V @ 15V, 200A |
| Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 1mA |
| Eingangskapazität (Cies) @ Vce | 32.5nF @ 30V |
| Eingabe | Standard |
| NTC-Thermistor | No |
| Betriebstemperatur | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Montagetyp | Chassis Mount |
| Paket / Fall | INT-A-Pak |
| Lieferantengerätepaket | INT-A-PAK |
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ Trench Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 1200V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 100A Leistung - max 405W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 50A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 5mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.24nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-PAK (3 + 4) Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
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