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VS-GT50TP120N

VS-GT50TP120N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-GT50TP120N
PNEDA Teilenummer VS-GT50TP120N
Beschreibung IGBT 1200V 100A 405W INT-A-PAK
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.814
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 5 - Jan 10 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-GT50TP120N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-GT50TP120N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-GT50TP120N, VS-GT50TP120N Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 96,27 KB)
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VS-GT50TP120N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-TypTrench
KonfigurationHalf Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100A
Leistung - max405W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.35V @ 15V, 50A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)5mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce6.24nF @ 30V
EingabeStandard
NTC-ThermistorNo
Betriebstemperatur175°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / FallINT-A-PAK (3 + 4)
LieferantengerätepaketINT-A-PAK

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Single Switch

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

7200A

Leistung - max

21000W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 3600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

295nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT25GLQ120JCU2

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

45A

Leistung - max

170W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.43nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

CM400DU-12NFH

Powerex Inc.

Hersteller

Powerex Inc.

Serie

IGBTMOD™

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

400A

Leistung - max

960W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 400A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

110nF @ 10V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

APT150GN60J

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

220A

Leistung - max

536W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 150A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

25µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

9.2nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

ISOTOP

Lieferantengerätepaket

ISOTOP®

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

600pF @ 25V

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C

Montagetyp

Chassis Mount

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