VS-GA200HS60S1 Datenblatt
|
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 480A Leistung - max 830W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.21V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 32.5nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie - IGBT-Typ - Konfiguration Half Bridge Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 480A Leistung - max 830W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.21V @ 15V, 200A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 1mA Eingangskapazität (Cies) @ Vce 32.5nF @ 30V Eingabe Standard NTC-Thermistor No Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Chassis Mount Paket / Fall INT-A-Pak Lieferantengerätepaket INT-A-PAK |
