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VS-ETY020P120F

VS-ETY020P120F

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ETY020P120F
PNEDA Teilenummer VS-ETY020P120F
Beschreibung OUTPUT & SW MODULES - EMIPAK 2B
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 6.516
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-ETY020P120F Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ETY020P120F
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module

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VS-ETY020P120F Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
IGBT-Typ-
Konfiguration-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)-
Strom - Kollektor (Ic) (max.)-
Leistung - max-
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic-
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
Eingabe-
NTC-Thermistor-
Betriebstemperatur-
Montagetyp-
Paket / Fall-
Lieferantengerätepaket-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8.8A

Leistung - max

23W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 4.8A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.34nF @ 30V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

19-SIP (13 Leads), IMS-2

Lieferantengerätepaket

IMS-2

VS-GB150YG120NT

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Full Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

182A

Leistung - max

892W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

4V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

120µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

ECONO3 4PACK

FS100R12KT4PBPSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

VS-GP300TD60S

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

PT, Trench

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

580A

Leistung - max

1136W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.45V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

150µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Dual INT-A-PAK (3 + 8)

Lieferantengerätepaket

Dual INT-A-PAK

APT70GR120JD60

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

112A

Leistung - max

543W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 70A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1.1mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.26nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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