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VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ETF150Y65N
PNEDA Teilenummer VS-ETF150Y65N
Beschreibung IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 23 - Nov 28 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-ETF150Y65N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ETF150Y65N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-ETF150Y65N, VS-ETF150Y65N Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 262,69 KB)
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VS-ETF150Y65N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
IGBT-TypNPT
KonfigurationHalf Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)201A
Leistung - max600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.17V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur175°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 75A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

S-3 Module

Lieferantengerätepaket

S3

APTGF300SK120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

420A

Leistung - max

2100W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 300A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

19nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

VS-20MT050XC

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

-

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

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Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

568W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

Hersteller

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Serie

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IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Leistung - max

595W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

SOT-227B

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