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VS-ETF150Y65N

VS-ETF150Y65N

Nur als Referenz

Teilenummer VS-ETF150Y65N
PNEDA Teilenummer VS-ETF150Y65N
Beschreibung IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 5.562
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 25 - Dez 30 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

VS-ETF150Y65N Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerVS-ETF150Y65N
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
VS-ETF150Y65N, VS-ETF150Y65N Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 262,69 KB)
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VS-ETF150Y65N Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
SerieFRED Pt®
IGBT-TypNPT
KonfigurationHalf Bridge Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)201A
Leistung - max600W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.17V @ 15V, 150A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)-
Eingangskapazität (Cies) @ Vce-
EingabeStandard
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur175°C (TJ)
Montagetyp-
Paket / FallModule
LieferantengerätepaketModule

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Littelfuse

Hersteller

Littelfuse Inc.

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

105A

Leistung - max

630W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 75A (Typ)

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

5.52nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

S-3 Module

Lieferantengerätepaket

S3

APT40GL120JU3

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65A

Leistung - max

220W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.25V @ 15V, 35A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

1.95nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Chassis, Stud Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227

APTGF100A1202G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

135A

Leistung - max

568W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 100A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

6.5nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP2

Lieferantengerätepaket

SP2

FMS6G10US60S

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Leistung - max

66W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

0.71nF @ 30V

Eingabe

Single Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

25PM-AA

Lieferantengerätepaket

25PM-AA

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Konfiguration

Single

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

145A

Leistung - max

595W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 82A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

7.9nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SOT-227-4, miniBLOC

Lieferantengerätepaket

SOT-227B

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