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FMS6G10US60S

FMS6G10US60S

Nur als Referenz

Teilenummer FMS6G10US60S
PNEDA Teilenummer FMS6G10US60S
Beschreibung IGBT 600V 10A 25PM-AA
Hersteller ON Semiconductor
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Auf Lager 8.856
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 6 - Jan 11 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

FMS6G10US60S Ressourcen

Marke ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerFMS6G10US60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Module
Datenblatt
FMS6G10US60S, FMS6G10US60S Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 790,84 KB)
PDFFMS6G10US60S Datenblatt Cover
FMS6G10US60S Datenblatt Seite 2 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 3 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 4 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 5 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 6 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 7 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 8 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 9 FMS6G10US60S Datenblatt Seite 10

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FMS6G10US60S Technische Daten

HerstellerON Semiconductor
Serie-
IGBT-Typ-
KonfigurationThree Phase Inverter
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)10A
Leistung - max66W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 10A
Strom - Kollektorabschaltung (max.)250µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce0.71nF @ 30V
EingabeSingle Phase Bridge Rectifier
NTC-ThermistorYes
Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypChassis Mount
Paket / Fall25PM-AA
Lieferantengerätepaket25PM-AA

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Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

Three Phase Inverter with Brake

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

85A

Leistung - max

290W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 55A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

-

Eingabe

Three Phase Bridge Rectifier

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

E3

Lieferantengerätepaket

E3

APTGT50H120T3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

Full Bridge Inverter

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Leistung - max

270W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 50A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

250µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

3.6nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

APTGF200A120D3G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Konfiguration

Half Bridge

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

300A

Leistung - max

1400W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 200A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

13nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

D-3 Module

Lieferantengerätepaket

D3

FF600R17KE3B2NOSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1700V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Leistung - max

4300W

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.45V @ 15V, 600A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

5mA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

54nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

No

Betriebstemperatur

-40°C ~ 125°C

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

EasyPACK™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Konfiguration

2 Independent

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Leistung - max

20mW

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.55V @ 15V, 25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

40µA

Eingangskapazität (Cies) @ Vce

2.8nF @ 25V

Eingabe

Standard

NTC-Thermistor

Yes

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

Module

Lieferantengerätepaket

Module

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