VS-ETF150Y65N Datenblatt
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Vishay Semiconductor Diodes Division
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VS-ETF150Y65N
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Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division Serie FRED Pt® IGBT-Typ NPT Konfiguration Half Bridge Inverter Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 650V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 201A Leistung - max 600W Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.17V @ 15V, 150A Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Eingangskapazität (Cies) @ Vce - Eingabe Standard NTC-Thermistor Yes Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall Module Lieferantengerätepaket Module |
