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UGB12HT-E3/81

UGB12HT-E3/81

Nur als Referenz

Teilenummer UGB12HT-E3/81
PNEDA Teilenummer UGB12HT-E3-81
Beschreibung DIODE GEN PURP 500V 12A TO263AB
Hersteller Vishay Semiconductor Diodes Division
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Auf Lager 3.762
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 3 - Jan 8 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

UGB12HT-E3/81 Ressourcen

Marke Vishay Semiconductor Diodes Division
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerUGB12HT-E3/81
KategorieHalbleiterDioden & GleichrichterGleichrichter - Single
Datenblatt
UGB12HT-E3/81, UGB12HT-E3/81 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 121,09 KB)
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UGB12HT-E3/81 Technische Daten

HerstellerVishay Semiconductor Diodes Division
Serie-
DiodentypStandard
Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)500V
Current - Average Rectified (Io)12A
Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If1.75V @ 12A
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr)50ns
Strom - Umkehrleckage @ Vr30µA @ 500V
Kapazität @ Vr, F.-
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketTO-263AB
Betriebstemperatur - Verbindungsstelle-55°C ~ 150°C

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Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller

Taiwan Semiconductor Corporation

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

50V

Current - Average Rectified (Io)

3A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 3A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 50V

Kapazität @ Vr, F.

45pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AB, SMC

Lieferantengerätepaket

DO-214AB (SMC)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

S1BHE3_A/H

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

100V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.1V @ 1A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

1.8µs

Strom - Umkehrleckage @ Vr

1µA @ 100V

Kapazität @ Vr, F.

12pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

DO-214AC, SMA

Lieferantengerätepaket

DO-214AC (SMA)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

UG1D-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

1A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

950mV @ 1A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

25ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

5µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

DO-204AL, DO-41, Axial

Lieferantengerätepaket

DO-204AL (DO-41)

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-55°C ~ 150°C

VS-30EPF02PBF

Vishay Semiconductor Diodes Division

Hersteller

Vishay Semiconductor Diodes Division

Serie

-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

200V

Current - Average Rectified (Io)

30A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1.41V @ 30A

Geschwindigkeit

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Strom - Umkehrleckage @ Vr

100µA @ 200V

Kapazität @ Vr, F.

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-2

Lieferantengerätepaket

TO-247AC Modified

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-40°C ~ 150°C

10A05-T

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Hersteller

Diodes Incorporated

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-

Diodentyp

Standard

Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.)

600V

Current - Average Rectified (Io)

10A

Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If

1V @ 10A

Geschwindigkeit

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Reverse Recovery Time (trr)

-

Strom - Umkehrleckage @ Vr

10µA @ 600V

Kapazität @ Vr, F.

80pF @ 4V, 1MHz

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

R6, Axial

Lieferantengerätepaket

R-6

Betriebstemperatur - Verbindungsstelle

-65°C ~ 150°C

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