VS-30EPF02PBF
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| Teilenummer | VS-30EPF02PBF |
| PNEDA Teilenummer | VS-30EPF02PBF |
| Beschreibung | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247AC |
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 2.988 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
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VS-30EPF02PBF Ressourcen
| Marke | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| ECAD Module |
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| Mfr. Artikelnummer | VS-30EPF02PBF |
| Kategorie | Halbleiter › Dioden & Gleichrichter › Gleichrichter - Single |
| Datenblatt |
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VS-30EPF02PBF Technische Daten
| Hersteller | Vishay Semiconductor Diodes Division |
| Serie | - |
| Diodentyp | Standard |
| Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) | 200V |
| Current - Average Rectified (Io) | 30A |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If | 1.41V @ 30A |
| Geschwindigkeit | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Reverse Recovery Time (trr) | 160ns |
| Strom - Umkehrleckage @ Vr | 100µA @ 200V |
| Kapazität @ Vr, F. | - |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-247-2 |
| Lieferantengerätepaket | TO-247AC Modified |
| Betriebstemperatur - Verbindungsstelle | -40°C ~ 150°C |
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Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 600V Current - Average Rectified (Io) 1A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 1.7V @ 1A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 35ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 5µA @ 600V Kapazität @ Vr, F. 8pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall DO-219AB Lieferantengerätepaket Sub SMA Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -55°C ~ 150°C |
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 45V Current - Average Rectified (Io) 30mA Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 370mV @ 1mA Geschwindigkeit Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1µA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 2pF @ 1V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SC-70, SOT-323 Lieferantengerätepaket SOT-323 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 125°C (Max) |
Hersteller NXP USA Inc. Serie - Diodentyp Standard Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 1500V Current - Average Rectified (Io) 7A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 2V @ 20A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) 350ns Strom - Umkehrleckage @ Vr 100µA @ 1300V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-2 Full Pack, Isolated Tab Lieferantengerätepaket TO-220FP Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 20V Current - Average Rectified (Io) 5A Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 550mV @ 5A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 1mA @ 20V Kapazität @ Vr, F. - Montagetyp Through Hole Paket / Fall DO-201AD, Axial Lieferantengerätepaket DO-201AD Betriebstemperatur - Verbindungsstelle -65°C ~ 150°C |
Hersteller Nexperia USA Inc. Serie - Diodentyp Schottky Spannung - DC-Rückwärtsgang (Vr) (max.) 10V Current - Average Rectified (Io) 2A (DC) Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If 460mV @ 2A Geschwindigkeit Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr) - Strom - Umkehrleckage @ Vr 3mA @ 10V Kapazität @ Vr, F. 45pF @ 5V, 1MHz Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-563, SOT-666 Lieferantengerätepaket SOT-666 Betriebstemperatur - Verbindungsstelle 150°C (Max) |
