Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

TSM2NB65CH X0G

TSM2NB65CH X0G

Nur als Referenz

Teilenummer TSM2NB65CH X0G
PNEDA Teilenummer TSM2NB65CH-X0G
Beschreibung MOSFET N-CHANNEL 650V 2A TO251
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 2.808
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 10 - Jan 15 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

TSM2NB65CH X0G Ressourcen

Marke Taiwan Semiconductor Corporation
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTSM2NB65CH X0G
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • TSM2NB65CH X0G Datasheet
  • where to find TSM2NB65CH X0G
  • Taiwan Semiconductor Corporation

  • Taiwan Semiconductor Corporation TSM2NB65CH X0G
  • TSM2NB65CH X0G PDF Datasheet
  • TSM2NB65CH X0G Stock

  • TSM2NB65CH X0G Pinout
  • Datasheet TSM2NB65CH X0G
  • TSM2NB65CH X0G Supplier

  • Taiwan Semiconductor Corporation Distributor
  • TSM2NB65CH X0G Price
  • TSM2NB65CH X0G Distributor

TSM2NB65CH X0G Technische Daten

HerstellerTaiwan Semiconductor Corporation
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)650V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds390pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)65W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-251 (IPAK)
Paket / FallTO-251-3 Stub Leads, IPak

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SUD50N04-37P-T4-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

5.4A (Ta), 8A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

37mOhm @ 5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

640pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 10.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252, (D-Pak)

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

SISS70DN-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

125V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.5A (Ta), 31A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29.8mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

15.3nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

535pF @ 62.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

5.1W (Ta), 65.8W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Paket / Fall

PowerPAK® 1212-8S

IXFH67N10

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

100V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

67A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 33.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

260nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4500pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

300W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXFH)

Paket / Fall

TO-247-3

RJK5020DPK-00#T0

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

40A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

118mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

126nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

5150pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

200W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-3P

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

NTD4909NAT4G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

8.8A (Ta), 41A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.5nC @ 10V

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1314pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

DPAK

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

ADV7125WBSTZ170

ADV7125WBSTZ170

Analog Devices

IC DAC 8BIT A-OUT 48LQFP

ADV7341BSTZ

ADV7341BSTZ

Analog Devices

IC ENCODER VIDEO HDTV 64LQFP

MAX3232ESE+

MAX3232ESE+

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 16SO

CM453232-6R8KL

CM453232-6R8KL

Bourns

FIXED IND 6.8UH 285MA 1.2 OHM

LT1529IQ#PBF

LT1529IQ#PBF

Linear Technology/Analog Devices

IC REG LINEAR POS ADJ 3A 5DDPAK

MBRS340T3G

MBRS340T3G

ON Semiconductor

DIODE SCHOTTKY 40V 4A SMC

ADG506AKR

ADG506AKR

Analog Devices

IC MULTIPLEXER 16X1 28SOIC

ACS724LLCTR-20AB-T

ACS724LLCTR-20AB-T

Allegro MicroSystems, LLC

SENSOR CURRENT HALL 20A AC/DC

XC6SLX9-2TQG144C

XC6SLX9-2TQG144C

Xilinx

IC FPGA 102 I/O 144TQFP

CKR05BX104KR

CKR05BX104KR

CAP CER 0.1UF 50V BX RADIAL

MM74C923WM

MM74C923WM

ON Semiconductor

IC ENCODER 20-KEY 20-SOIC

93LC46C-I/SN

93LC46C-I/SN

Microchip Technology

IC EEPROM 1K SPI 3MHZ 8SOIC