Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

RJK5020DPK-00#T0

RJK5020DPK-00#T0

Nur als Referenz

Teilenummer RJK5020DPK-00#T0
PNEDA Teilenummer RJK5020DPK-00-T0
Beschreibung MOSFET N-CH 500V 40A TO3P
Hersteller Renesas Electronics America
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 8.262
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 7 - Feb 12 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

RJK5020DPK-00#T0 Ressourcen

Marke Renesas Electronics America
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerRJK5020DPK-00#T0
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
RJK5020DPK-00#T0, RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 82,32 KB)
PDFRJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Cover
RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Seite 2 RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Seite 3 RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Seite 4 RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Seite 5 RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Seite 6 RJK5020DPK-00#T0 Datenblatt Seite 7

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • RJK5020DPK-00#T0 Datasheet
  • where to find RJK5020DPK-00#T0
  • Renesas Electronics America

  • Renesas Electronics America RJK5020DPK-00#T0
  • RJK5020DPK-00#T0 PDF Datasheet
  • RJK5020DPK-00#T0 Stock

  • RJK5020DPK-00#T0 Pinout
  • Datasheet RJK5020DPK-00#T0
  • RJK5020DPK-00#T0 Supplier

  • Renesas Electronics America Distributor
  • RJK5020DPK-00#T0 Price
  • RJK5020DPK-00#T0 Distributor

RJK5020DPK-00#T0 Technische Daten

HerstellerRenesas Electronics America
Serie-
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)500V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.40A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs118mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs126nC @ 10V
Vgs (Max)±30V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds5150pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)200W (Tc)
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
LieferantengerätepaketTO-3P
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

2SK3703-1E

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

30A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

26mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1780pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2W (Ta), 25W (Tc)

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220F-3SG

Paket / Fall

TO-220-3 Full Pack

SUP45P03-09-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

P-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

45A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

90nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2700pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

73.5W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FCP400N80Z

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET® II

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

400mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 1.1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

56nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2350pF @ 1000V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

195W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

NP80N055MHE-S18-AY

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

11mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

60nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

1.8W (Ta), 120W (Tc)

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220-3

Paket / Fall

TO-220-3

STD4NK50ZD-1

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

SuperMESH™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

3A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.7Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4.5V @ 50µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

12nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

45W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

I-PAK

Paket / Fall

TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

Kürzlich verkauft

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

FSA4159L6X

FSA4159L6X

ON Semiconductor

IC SWITCH SPDT 6MICROPAK

LPC8N04FHI24Z

LPC8N04FHI24Z

NXP

IC MCU 32BIT 32KB FLASH 24HVQFN

ISL4221EIRZ-T

ISL4221EIRZ-T

Renesas Electronics America Inc.

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 16QFN

B560CQ-13-F

B560CQ-13-F

Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC

M24512-RMC6TG

M24512-RMC6TG

STMicroelectronics

IC EEPROM 512K I2C 1MHZ 8UFDFPN

NL17SZ14DFT2G

NL17SZ14DFT2G

ON Semiconductor

IC INVERTER SCHMITT 1CH SC88A

MC79M12CDTRKG

MC79M12CDTRKG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR -12V 500MA DPAK

ZXMN6A09GTA

ZXMN6A09GTA

Diodes Incorporated

MOSFET N-CH 60V 6.9A SOT223

CBC3225T220KR

CBC3225T220KR

Taiyo Yuden

FIXED IND 22UH 780MA 351 MOHM

MAX15006AATT/V+T

MAX15006AATT/V+T

Maxim Integrated

IC REG LINEAR 3.3V 50MA 6TDFN

JANTX1N4148-1

JANTX1N4148-1

Microsemi

DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35