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TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Nur als Referenz

Teilenummer TPC8221-H,LQ(S
PNEDA Teilenummer TPC8221-H-LQ-S
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TPC8221-H Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPC8221-H,LQ(S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TPC8221-H, TPC8221-H Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 370,4 KB)
PDFTPC8221-H Datenblatt Cover
TPC8221-H Datenblatt Seite 2 TPC8221-H Datenblatt Seite 3 TPC8221-H Datenblatt Seite 4 TPC8221-H Datenblatt Seite 5 TPC8221-H Datenblatt Seite 6 TPC8221-H Datenblatt Seite 7 TPC8221-H Datenblatt Seite 8 TPC8221-H Datenblatt Seite 9

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TPC8221-H Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds830pF @ 10V
Leistung - max450mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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FET-Typ

2 N-Channel (Half Bridge)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

16A, 28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12mOhm @ 13.8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

790pF @ 15V

Leistung - max

29W, 100W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerWDFN

Lieferantengerätepaket

8-PowerPair® (6x5)

NDC7001C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

510mA, 340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

NTMFD4901NFT1G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual), Schottky

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.3A, 17.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

9.7nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1150pF @ 15V

Leistung - max

1.1W, 1.2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

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Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

750mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

380mOhm @ 650mA, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

120pF @ 16V

Leistung - max

150mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Source

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

100mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 10V

Leistung - max

1.25W

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