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TPC8221-H,LQ(S

TPC8221-H,LQ(S

Nur als Referenz

Teilenummer TPC8221-H,LQ(S
PNEDA Teilenummer TPC8221-H-LQ-S
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 6A 8SOP
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 5.220
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TPC8221-H Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPC8221-H,LQ(S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
TPC8221-H, TPC8221-H Datenblatt (Total Pages: 9, Größe: 370,4 KB)
PDFTPC8221-H Datenblatt Cover
TPC8221-H Datenblatt Seite 2 TPC8221-H Datenblatt Seite 3 TPC8221-H Datenblatt Seite 4 TPC8221-H Datenblatt Seite 5 TPC8221-H Datenblatt Seite 6 TPC8221-H Datenblatt Seite 7 TPC8221-H Datenblatt Seite 8 TPC8221-H Datenblatt Seite 9

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TPC8221-H Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionStandard
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.3V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds830pF @ 10V
Leistung - max450mW
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SOP

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

280mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

50pF @ 25V

Leistung - max

250mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

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NDC7001C

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

N and P-Channel

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

510mA, 340mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2Ohm @ 510mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

1.5nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

20pF @ 25V

Leistung - max

700mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SuperSOT™-6

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Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

320pF @ 16V

Leistung - max

600mW

Betriebstemperatur

-65°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

SOT-26

Hersteller

IXYS

Serie

-

FET-Typ

6 N-Channel (3-Phase Bridge)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

110A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

4.9mOhm @ 60A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 1mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

115nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

17-SMD, Gull Wing

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Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

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FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

12V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.3A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

27mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

450mV @ 5mA (Min)

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

30nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

830mW

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

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