GWM120-0075X1-SMD
Nur als Referenz
| Teilenummer | GWM120-0075X1-SMD |
| PNEDA Teilenummer | GWM120-0075X1-SMD |
| Beschreibung | MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS |
| Hersteller | IXYS |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 6.714 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Dez 28 - Jan 2 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
GWM120-0075X1-SMD Ressourcen
| Marke | IXYS |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | GWM120-0075X1-SMD |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays |
| Datenblatt |
GWM120-0075X1-SMD, GWM120-0075X1-SMD Datenblatt
(Total Pages: 6, Größe: 629,8 KB)
  
|
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- GWM120-0075X1-SMD Datasheet
- where to find GWM120-0075X1-SMD
- IXYS
- IXYS GWM120-0075X1-SMD
- GWM120-0075X1-SMD PDF Datasheet
- GWM120-0075X1-SMD Stock
- GWM120-0075X1-SMD Pinout
- Datasheet GWM120-0075X1-SMD
- GWM120-0075X1-SMD Supplier
- IXYS Distributor
- GWM120-0075X1-SMD Price
- GWM120-0075X1-SMD Distributor
GWM120-0075X1-SMD Technische Daten
| Hersteller | IXYS |
| Serie | - |
| FET-Typ | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
| FET-Funktion | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 75V |
| Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. | 110A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4.9mOhm @ 60A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 1mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Leistung - max | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Surface Mount |
| Paket / Fall | 17-SMD, Gull Wing |
| Lieferantengerätepaket | ISOPLUS-DIL™ |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller Microsemi Corporation Serie CoolMOS™ FET-Typ 4 N-Channel (H-Bridge) + Bridge Rectifier FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 600V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 39A Rds On (Max) @ Id, Vgs 70mOhm @ 39A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3.9V @ 2.7mA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 259nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 7000pF @ 25V Leistung - max 250W Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp - Paket / Fall SP3 Lieferantengerätepaket SP3 |
Hersteller Infineon Technologies Serie HEXFET® FET-Typ 2 P-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 4.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 35mOhm @ 4.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1464pF @ 25V Leistung - max 1W Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) Lieferantengerätepaket 8-TSSOP |
Hersteller Diodes Incorporated Serie - FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. - Rds On (Max) @ Id, Vgs - Vgs (th) (Max) @ Id - Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs - Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds - Leistung - max - Betriebstemperatur - Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SOT-223 |
Hersteller ON Semiconductor Serie PowerTrench® FET-Typ 2 N-Channel (Dual) FET-Funktion Logic Level Gate Drain to Source Voltage (Vdss) 30V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 7.5A Rds On (Max) @ Id, Vgs 13mOhm @ 7.5A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 24nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1130pF @ 15V Leistung - max 900mW Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Lieferantengerätepaket 8-SOIC |
Hersteller Vishay Siliconix Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET-Typ N and P-Channel FET-Funktion Standard Drain to Source Voltage (Vdss) 60V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 30A (Tc), 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 30nC @ 10V, 45nC @ 10V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 1650pF @ 25V Leistung - max 34W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall PowerPAK® SO-8 Dual Lieferantengerätepaket PowerPAK® SO-8 Dual |
