Certifications

iso9001
iso14001
icas
Delivery
security
warranty
roiginal
RoHS
UL
Millionen elektronischer Teile auf Lager. Preis- und Vorlaufzeitangebote innerhalb von 24 Stunden.

SI6975DQ-T1-E3

SI6975DQ-T1-E3

Nur als Referenz

Teilenummer SI6975DQ-T1-E3
PNEDA Teilenummer SI6975DQ-T1-E3
Beschreibung MOSFET 2P-CH 12V 4.3A 8TSSOP
Hersteller Vishay Siliconix
Stückpreis Angebot anfordern
Auf Lager 4.590
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 13 - Feb 18 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

SI6975DQ-T1-E3 Ressourcen

Marke Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSI6975DQ-T1-E3
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
SI6975DQ-T1-E3, SI6975DQ-T1-E3 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 102,31 KB)
PDFSI6975DQ-T1-E3 Datenblatt Cover
SI6975DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 2 SI6975DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 3 SI6975DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 4 SI6975DQ-T1-E3 Datenblatt Seite 5

Payment Method

TT Unionpay paypal paypalwtcreditcard alipay wu
  • Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
  • If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
  • Some orders may require a minimum amount of $100.00.
  • Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.

Logistics Mode

TNT UPS Fedex EMS DHL
  • Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
  • Delivery date: usually 2 to 7 working days.
  • It is unable to appoint a date of delivery.
  • Tracking number will be sent once your order has been shipped.
  • It may take up to 24 hours before carriers display the info.

Notes

  • Please confirm the specifications of the products when ordering.
  • If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
  • Registered users can log in to the account to view the order status.
  • You can email us to change the order details before shipment.
  • Orders cannot be canceled after shipping the packages.

Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.

Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:

  • Schnelle Reaktionsfähigkeit

    Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.

  • Garantierte Qualität

    Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.

  • Globaler Zugriff

    Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.

Hot search vocabulary

  • SI6975DQ-T1-E3 Datasheet
  • where to find SI6975DQ-T1-E3
  • Vishay Siliconix

  • Vishay Siliconix SI6975DQ-T1-E3
  • SI6975DQ-T1-E3 PDF Datasheet
  • SI6975DQ-T1-E3 Stock

  • SI6975DQ-T1-E3 Pinout
  • Datasheet SI6975DQ-T1-E3
  • SI6975DQ-T1-E3 Supplier

  • Vishay Siliconix Distributor
  • SI6975DQ-T1-E3 Price
  • SI6975DQ-T1-E3 Distributor

SI6975DQ-T1-E3 Technische Daten

HerstellerVishay Siliconix
SerieTrenchFET®
FET-Typ2 P-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)12V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.4.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 5.1A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id450mV @ 5mA (Min)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs30nC @ 4.5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds-
Leistung - max830mW
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Lieferantengerätepaket8-TSSOP

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

SI4913DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

TrenchFET®

FET-Typ

2 P-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.1A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

15mOhm @ 9.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 500µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

65nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

DMTH6016LSD-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

Automotive, AEC-Q101

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7.6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

864pF @ 30V

Leistung - max

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

IRF7311TR

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

700mV @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

27nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

900pF @ 15V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SO

FC6946010R

Panasonic Electronic Components

Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

100mA

Rds On (Max) @ Id, Vgs

12Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.5V @ 1µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

12pF @ 3V

Leistung - max

125mW

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SSMini6-F3-B

NTMFD4C87NT3G

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

11.7A, 14.9A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

5.4mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.2V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

22.2nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1252pF @ 15V

Leistung - max

1.1W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-PowerTDFN

Lieferantengerätepaket

8-DFN (5x6)

Kürzlich verkauft

MAX232EJE

MAX232EJE

Maxim Integrated

MULTICHANNEL RS-232 DRIVERS/RECE

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

ASDMB-100.000MHZ-LY-T

Abracon

MEMS OSC XO 100.0000MHZ LVCMOS

IRF7343TRPBF

IRF7343TRPBF

Infineon Technologies

MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC

GRM43ER71A226KE01L

GRM43ER71A226KE01L

Murata

CAP CER 22UF 10V X7R 1812

MAX3233EEWP+G36

MAX3233EEWP+G36

Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 2/2 20SOIC

MMSZ5250BT1G

MMSZ5250BT1G

ON Semiconductor

DIODE ZENER 20V 500MW SOD123

25LC128-I/ST

25LC128-I/ST

Microchip Technology

IC EEPROM 128K SPI 10MHZ 8TSSOP

ADF4351BCPZ

ADF4351BCPZ

Analog Devices

IC SYNTH PLL VCO 32LFCSP

FMMT593TA

FMMT593TA

Diodes Incorporated

TRANS PNP 100V 1A SOT23-3

DS1216C

DS1216C

Maxim Integrated

IC SMART/RAM 5V 64K/256K 28-DIP

STM6601CM2DDM6F

STM6601CM2DDM6F

STMicroelectronics

IC SUPERVISOR 3.1V 12TDFN

AD5421BREZ

AD5421BREZ

Analog Devices

IC DAC 16BIT V-OUT 28TSSOP