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TPC6901(TE85L,F,M)

TPC6901(TE85L,F,M)

Nur als Referenz

Teilenummer TPC6901(TE85L,F,M)
PNEDA Teilenummer TPC6901-TE85L-F-M
Beschreibung TRANS NPN/PNP 50V 6VS
Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage
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Auf Lager 4.050
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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TPC6901(TE85L Ressourcen

Marke Toshiba Semiconductor and Storage
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerTPC6901(TE85L,F,M)
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
TPC6901(TE85L, TPC6901(TE85L Datenblatt (Total Pages: 7, Größe: 213,21 KB)
PDFTPC6901(TE85L Datenblatt Cover
TPC6901(TE85L Datenblatt Seite 2 TPC6901(TE85L Datenblatt Seite 3 TPC6901(TE85L Datenblatt Seite 4 TPC6901(TE85L Datenblatt Seite 5 TPC6901(TE85L Datenblatt Seite 6 TPC6901(TE85L Datenblatt Seite 7

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TPC6901(TE85L Technische Daten

HerstellerToshiba Semiconductor and Storage
Serie-
TransistortypNPN, PNP
Strom - Kollektor (Ic) (max.)1A, 700mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)50V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic170mV @ 6mA, 300mA / 230mV @ 10mA, 300mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)100nA (ICBO)
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce400 @ 100mA, 2V / 200 @ 100mA, 2V
Leistung - max400mW
Frequenz - Übergang-
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
LieferantengerätepaketVS-6 (2.9x2.8)

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Hersteller

Serie

-

Transistortyp

7 NPN Darlington

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

500mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.6V @ 500µA, 350mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

50µA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 70°C (TA)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

16-SOIC

JANTX2N3810L

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

150 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

EMZ1DXV6T5

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

Transistortyp

NPN, PNP

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

500nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

120 @ 1mA, 6V

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

180MHz, 140MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-563, SOT-666

Lieferantengerätepaket

SOT-563

PBSS5130PAP,115

Nexperia

Hersteller

Nexperia USA Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

30V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

280mV @ 50mA, 1A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

100nA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

170 @ 500mA, 2V

Leistung - max

510mW

Frequenz - Übergang

125MHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

6-UDFN Exposed Pad

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

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TO-78-6 Metal Can

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