ULN2003AIPW
Nur als Referenz
Teilenummer | ULN2003AIPW |
PNEDA Teilenummer | ULN2003AIPW |
Beschreibung | IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16TSSOP |
Hersteller | Texas Instruments |
Stückpreis | Angebot anfordern |
Auf Lager | 16.932 |
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ULN2003AIPW Ressourcen
Marke | Texas Instruments |
ECAD Module | |
Mfr. Artikelnummer | ULN2003AIPW |
Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays |
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ULN2003AIPW Technische Daten
Hersteller | |
Serie | - |
Transistortyp | 7 NPN Darlington |
Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 500mA |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 50V |
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic | 1.6V @ 500µA, 350mA |
Strom - Kollektorabschaltung (max.) | 50µA |
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce | - |
Leistung - max | - |
Frequenz - Übergang | - |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 105°C (TA) |
Montagetyp | Surface Mount |
Paket / Fall | 16-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Lieferantengerätepaket | 16-TSSOP |
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Sanken Hersteller Sanken Serie - Transistortyp 3 NPN, 3 PNP Darlington (3-Phase Bridge) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 2A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 60V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.5V @ 2mA, 1A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100µA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 2000 @ 1A, 4V Leistung - max 4W Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 12-SIP Lieferantengerätepaket 12-SIP |
Toshiba Semiconductor and Storage Hersteller Toshiba Semiconductor and Storage Serie - Transistortyp 8 NPN Darlington Strom - Kollektor (Ic) (max.) 500mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 50V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 1.6V @ 500µA, 350mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) - Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 1000 @ 350mA, 2V Leistung - max 1.47W Frequenz - Übergang - Betriebstemperatur -40°C ~ 85°C (TA) Montagetyp Through Hole Paket / Fall 18-DIP (0.300", 7.62mm) Lieferantengerätepaket 18-DIP |
Central Semiconductor Corp Hersteller Central Semiconductor Corp Serie - Transistortyp 2 NPN (Dual) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 50mA Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 25V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA Strom - Kollektorabschaltung (max.) 50nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 400 @ 100µA, 5V Leistung - max 350mW Frequenz - Übergang 50MHz Betriebstemperatur -65°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Lieferantengerätepaket SOT-363 |
Diodes Incorporated Hersteller Diodes Incorporated Serie - Transistortyp 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge) Strom - Kollektor (Ic) (max.) 1A Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 70V Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic 750mV @ 50mA, 2A Strom - Kollektorabschaltung (max.) 100nA (ICBO) Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce 300 @ 100mA, 2V Leistung - max 1.25W Frequenz - Übergang 100MHz Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall SOT-223-8 Lieferantengerätepaket SOT-223 |