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BC847CDLP-7

BC847CDLP-7

Nur als Referenz

Teilenummer BC847CDLP-7
PNEDA Teilenummer BC847CDLP-7
Beschreibung TRANS 2NPN 45V 0.1A 6DFN
Hersteller Diodes Incorporated
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Auf Lager 179.664
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 1 - Feb 6 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

BC847CDLP-7 Ressourcen

Marke Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerBC847CDLP-7
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - Bipolar (BJT) - Arrays
Datenblatt
BC847CDLP-7, BC847CDLP-7 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 198,64 KB)
PDFBC847CDLP-7 Datenblatt Cover
BC847CDLP-7 Datenblatt Seite 2 BC847CDLP-7 Datenblatt Seite 3 BC847CDLP-7 Datenblatt Seite 4 BC847CDLP-7 Datenblatt Seite 5 BC847CDLP-7 Datenblatt Seite 6

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BC847CDLP-7 Technische Daten

HerstellerDiodes Incorporated
Serie-
Transistortyp2 NPN (Dual)
Strom - Kollektor (Ic) (max.)100mA
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)45V
Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic600mV @ 5mA, 100mA
Strom - Kollektorabschaltung (max.)15nA
Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce420 @ 2mA, 5V
Leistung - max350mW
Frequenz - Übergang100MHz
Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall6-XFDFN Exposed Pad
LieferantengerätepaketX2-DFN1310-6 (Type B)

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Hersteller

Panasonic Electronic Components

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

65mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

10V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

1µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 8V

Leistung - max

200mW

Frequenz - Übergang

8.5GHz

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

SOT-23-6

Lieferantengerätepaket

MINI6-G1

ULN2074B

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

-

Transistortyp

4 NPN Darlington (Quad)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

1.75A

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

50V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

1.4V @ 2mA, 1.25A

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

1W

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-20°C ~ 85°C (TA)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

16-PowerDIP (0.300", 7.62mm)

Lieferantengerätepaket

16-PowerDIP (20x7.10)

MAT01GHZ

Analog Devices

Hersteller

Analog Devices Inc.

Serie

-

Transistortyp

2 NPN (Dual) Matched Pair

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

25mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

45V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

800mV @ 1mA, 10mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

400nA

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

-

Leistung - max

500mW

Frequenz - Übergang

450MHz

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

TO-78-6

JANTXV2N3811

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

Military, MIL-PRF-19500/336

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

250mV @ 100µA, 1mA

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

10µA (ICBO)

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

300 @ 1mA, 5V

Leistung - max

350mW

Frequenz - Übergang

-

Betriebstemperatur

-65°C ~ 200°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-78-6 Metal Can

Lieferantengerätepaket

TO-78-6

MD2905

Central Semiconductor Corp

Hersteller

Central Semiconductor Corp

Serie

-

Transistortyp

2 PNP (Dual)

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

600mA

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

60V

Vce-Sättigung (Max) @ Ib, Ic

-

Strom - Kollektorabschaltung (max.)

-

Gleichstromverstärkung (hFE) (min) @ Ic, Vce

100 @ 150mA, 10V

Leistung - max

-

Frequenz - Übergang

200MHz

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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