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STS8DNF3LL

STS8DNF3LL

Nur als Referenz

Teilenummer STS8DNF3LL
PNEDA Teilenummer STS8DNF3LL
Beschreibung MOSFET 2N-CH 30V 8A 8-SOIC
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 6.174
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Jan 11 - Jan 16 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STS8DNF3LL Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTS8DNF3LL
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Arrays
Datenblatt
STS8DNF3LL, STS8DNF3LL Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 555,26 KB)
PDFSTS8DNF3LL Datenblatt Cover
STS8DNF3LL Datenblatt Seite 2 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 3 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 4 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 5 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 6 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 7 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 8 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 9 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 10 STS8DNF3LL Datenblatt Seite 11

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STS8DNF3LL Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™ II
FET-Typ2 N-Channel (Dual)
FET-FunktionLogic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 4A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 5V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds800pF @ 25V
Leistung - max1.6W
Betriebstemperatur150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Lieferantengerätepaket8-SO

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

13mOhm @ 8A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

17.9nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1810pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

6A (Ta)

Rds On (Max) @ Id, Vgs

31mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

404pF @ 20V

Leistung - max

2W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Lieferantengerätepaket

8-SOIC

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

HEXFET®

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Logic Level Gate

Drain to Source Voltage (Vdss)

20V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.5A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

45mOhm @ 3.4A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id

1.1V @ 10µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

3.1nC @ 4.5V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

310pF @ 10V

Leistung - max

1.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

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Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

800V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

28A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

150mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3.9V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

180nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

4507pF @ 25V

Leistung - max

277W

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Chassis Mount

Paket / Fall

SP3

Lieferantengerätepaket

SP3

SI4972DY-T1-E3

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Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

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FET-Typ

2 N-Channel (Dual)

FET-Funktion

Standard

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

10.8A, 7.2A

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14.5mOhm @ 6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

28nC @ 10V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

1080pF @ 15V

Leistung - max

3.1W, 2.5W

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

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8-SO

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