STGWT30V60DF
Nur als Referenz
| Teilenummer | STGWT30V60DF |
| PNEDA Teilenummer | STGWT30V60DF |
| Beschreibung | IGBT 600V 60A 258W TO3P-3 |
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Stückpreis | Angebot anfordern |
| Auf Lager | 5.274 |
| Lager | Shipped from Hong Kong SAR |
| Voraussichtliche Lieferung | Apr 21 - Apr 26 (Wählen Sie Expressed Shipping) |
| Guarantee | Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] * |
|
Free shipping on orders over $100. PNEDA is willing to provide you with better services.
|
|
|
|
|
STGWT30V60DF Ressourcen
| Marke | STMicroelectronics |
| ECAD Module |
|
| Mfr. Artikelnummer | STGWT30V60DF |
| Kategorie | Halbleiter › Transistoren › Transistoren - IGBTs - Single |
| Datenblatt |
Payment Method
- Penda is not limited to cash transfers. Checks and bill transfers are also accepted.
- If you need the detailed invoice or tax ID,please email us.
- Some orders may require a minimum amount of $100.00.
- Cheque or cash on delivery, processing may take an additional 3-5 days.
Logistics Mode
- Delivery time: At the same day (Order deadline is 2pm, HK Time).
- Delivery date: usually 2 to 7 working days.
- It is unable to appoint a date of delivery.
- Tracking number will be sent once your order has been shipped.
- It may take up to 24 hours before carriers display the info.
Notes
- Please confirm the specifications of the products when ordering.
- If you have special order instructions,please note it on the ordering pages.
- Registered users can log in to the account to view the order status.
- You can email us to change the order details before shipment.
- Orders cannot be canceled after shipping the packages.
Bei PNEDA streben wir danach, Branchenführer zu werden, indem wir unseren Kunden schnell und zuverlässig hochwertige elektronische Komponenten liefern.
Unser Ansatz basiert darauf, unseren Kunden drei entscheidende Vorteile zu bieten:
Schnelle Reaktionsfähigkeit
Unser Team reagiert schnell auf Ihre Anfragen und macht sich sofort an die Arbeit, um Ihre Teile zu finden.
Garantierte Qualität
Unsere Qualitätskontrollprozesse schützen vor Fälschungen und gewährleisten Zuverlässigkeit und Leistung.
Globaler Zugriff
Unser weltweites Netzwerk vertrauenswürdiger Ressourcen ermöglicht es uns, die spezifischen Teile zu finden und zu liefern, die Sie benötigen.
Hot search vocabulary
- STGWT30V60DF Datasheet
- where to find STGWT30V60DF
- STMicroelectronics
- STMicroelectronics STGWT30V60DF
- STGWT30V60DF PDF Datasheet
- STGWT30V60DF Stock
- STGWT30V60DF Pinout
- Datasheet STGWT30V60DF
- STGWT30V60DF Supplier
- STMicroelectronics Distributor
- STGWT30V60DF Price
- STGWT30V60DF Distributor
STGWT30V60DF Technische Daten
| Hersteller | STMicroelectronics |
| Serie | - |
| IGBT-Typ | Trench Field Stop |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) | 600V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max.) | 60A |
| Strom - Kollektor gepulst (Icm) | 120A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.3V @ 15V, 30A |
| Leistung - max | 258W |
| Schaltenergie | 383µJ (on), 233µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Charge | 163nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C. | 45ns/189ns |
| Testbedingung | 400V, 30A, 10Ohm, 15V |
| Reverse Recovery Time (trr) | 53ns |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Montagetyp | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Lieferantengerätepaket | TO-3P |
Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten
|
Hersteller ON Semiconductor Serie - IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 40A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.65V @ 15V, 20A Leistung - max 64W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 84nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 60ns/193ns Testbedingung 300V, 20A, 30Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 70ns Betriebstemperatur 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-3PFM, SC-93-3 Lieferantengerätepaket TO-3PF-3 |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 15A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 21A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 3A Leistung - max 56W Schaltenergie 20µJ (on), 68µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 13.6nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 12ns/76ns Testbedingung 390V, 3A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller Infineon Technologies Serie - IGBT-Typ NPT Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 36A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 80A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.15V @ 15V, 20A Leistung - max 178W Schaltenergie 690µJ Eingabetyp Standard Gate Charge 100nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 18ns/207ns Testbedingung 400V, 20A, 16Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 130ns Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket PG-TO247-3 |
Hersteller IXYS Serie HiPerFAST™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 600V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 24A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 48A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 12A Leistung - max 100W Schaltenergie 500µJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 32nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 20ns/150ns Testbedingung 480V, 12A, 18Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-247-3 Lieferantengerätepaket TO-247AD (IXGH) |
Hersteller IXYS Serie BIMOSFET™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 3000V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 60A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 380A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3V @ 15V, 42A Leistung - max 240W Schaltenergie - Eingabetyp Standard Gate Charge 200nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 72ns/445ns Testbedingung 1500V, 42A, 20Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 1.7µs Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall i4-Pac™-4, Isolated Lieferantengerätepaket ISOPLUS i4-PAC™ |
