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STGWT30H60DFB

STGWT30H60DFB

Nur als Referenz

Teilenummer STGWT30H60DFB
PNEDA Teilenummer STGWT30H60DFB
Beschreibung IGBT 600V 60A 260W TO3PL
Hersteller STMicroelectronics
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STGWT30H60DFB Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWT30H60DFB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWT30H60DFB, STGWT30H60DFB Datenblatt (Total Pages: 20, Größe: 1.431,97 KB)
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STGWT30H60DFB Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Leistung - max260W
Schaltenergie383µJ (on), 293µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge149nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.37ns/146ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)53ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-3P-3, SC-65-3
LieferantengerätepaketTO-3P

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

TO-268

IRG7PH42UD2PBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.02V @ 15V, 30A

Leistung - max

321W

Schaltenergie

1.32mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

234nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/233ns

Testbedingung

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AC

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

170A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.4V @ 15V, 24A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

700µJ (on), 2.4mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

66nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/300ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

26ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263

HGTG11N120CND

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

43A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 11A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

950µJ (on), 1.3mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/180ns

Testbedingung

960V, 11A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

STGY40NC60VD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 40A

Leistung - max

260W

Schaltenergie

330µJ (on), 720µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

214nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

43ns/140ns

Testbedingung

390V, 40A, 3.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

44ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

MAX247™

Kürzlich verkauft

SMAJ36A

SMAJ36A

Bourns

TVS DIODE 36V 58.1V SMA

MAX3645EEE+T

MAX3645EEE+T

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IC AMP LIMITING 16-QSOP

HCPL-181-06BE

HCPL-181-06BE

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OPTOISO 3.75KV TRANS 4MINIFLAT

MADL-011021-14150T

MADL-011021-14150T

M/A-Com Technology Solutions

RF DIODE PIN 6TDFN

IS34ML01G081-TLI-TR

IS34ML01G081-TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

IC FLASH 1G PARALLEL 48TSOP I

LTC2870IFE#PBF

LTC2870IFE#PBF

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IC TRANSCEIVER FULL 2/2 28TSSOP

IRF3205ZPBF

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MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB

ADG658YRUZ

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Analog Devices

IC MULTIPLEXER 8X1 16TSSOP

MIC2544A-1YMM

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Microchip Technology

IC SW CURR LIMIT HI SIDE 8MSOP

IRFU9024NPBF

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Infineon Technologies

MOSFET P-CH 55V 11A I-PAK

TAJD337K010RNJ

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CAP TANT 330UF 10% 10V 2917

BCP53-16T1G

BCP53-16T1G

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TRANS PNP 80V 1.5A SOT-223