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STGWA30H65FB

STGWA30H65FB

Nur als Referenz

Teilenummer STGWA30H65FB
PNEDA Teilenummer STGWA30H65FB
Beschreibung IGBT
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.376
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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STGWA30H65FB Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGWA30H65FB
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGWA30H65FB, STGWA30H65FB Datenblatt (Total Pages: 14, Größe: 746,62 KB)
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STGWA30H65FB Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieHB
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)120A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 30A
Leistung - max260W
Schaltenergie151mJ (on), 293mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge149nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.37ns/146ns
Testbedingung400V, 30A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247 Long Leads

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

27A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

104W

Schaltenergie

150µJ (on), 250µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

51nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

26ns/150ns

Testbedingung

480V, 12A, 25Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

28A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 12A

Leistung - max

63W

Schaltenergie

150mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

32nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/70ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUS220™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS220™

IGD01N120H2BUMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

3.2A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

3.5A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.8V @ 15V, 1A

Leistung - max

28W

Schaltenergie

140µJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

8.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

13ns/370ns

Testbedingung

800V, 1A, 241Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

PG-TO252-3

STGP19NC60HD

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 12A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

85µJ (on), 189µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

53nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/97ns

Testbedingung

390V, 12A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

31ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220

IXGK75N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

170A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

530A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 150A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

410nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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