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STGW40H65DFB-4

STGW40H65DFB-4

Nur als Referenz

Teilenummer STGW40H65DFB-4
PNEDA Teilenummer STGW40H65DFB-4
Beschreibung IGBT
Hersteller STMicroelectronics
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STGW40H65DFB-4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW40H65DFB-4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW40H65DFB-4, STGW40H65DFB-4 Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 471,95 KB)
PDFSTGW40H65DFB-4 Datenblatt Cover
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STGW40H65DFB-4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieHB
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)650V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)80A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)160A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2V @ 15V, 40A
Leistung - max283W
Schaltenergie200µJ (on), 410µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge210nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.40ns/142ns
Testbedingung400V, 40A, 5Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)62ns
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-4
LieferantengerätepaketTO-247-4L

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

115µJ (on), 135µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

49nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/60ns

Testbedingung

300V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

60ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-3P-3, SC-65-3

Lieferantengerätepaket

TO-3PN

IXGA4N100

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1000V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

8A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

16A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 4A

Leistung - max

40W

Schaltenergie

900µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13.6nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/390ns

Testbedingung

800V, 4A, 120Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263 (IXGA)

APT50GN60BDQ2G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

107A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

150A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 50A

Leistung - max

366W

Schaltenergie

1185µJ (on), 1565µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

325nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

20ns/230ns

Testbedingung

400V, 50A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

AFGHL40T65SPD

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

Automotive, AEC-Q101

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 40A

Leistung - max

267W

Schaltenergie

1.16MJ (on), 270µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

36nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

18ns/35ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

35ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 30A

Leistung - max

250W

Schaltenergie

760µJ (on), 400µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

22ns/139ns

Testbedingung

400V, 30A, 8Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

43ns

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