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STGW35NB60S

STGW35NB60S

Nur als Referenz

Teilenummer STGW35NB60S
PNEDA Teilenummer STGW35NB60S
Beschreibung IGBT 600V 70A 200W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.934
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Feb 18 - Feb 23 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGW35NB60S Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW35NB60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW35NB60S, STGW35NB60S Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 268,9 KB)
PDFSTGW35NB60S Datenblatt Cover
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STGW35NB60S Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie840µJ (on), 7.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge83nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.92ns/1.1µs
Testbedingung480V, 20A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

APT20GN60BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

230µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/140ns

Testbedingung

400V, 20A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

234A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.35V @ 15V, 110A

Leistung - max

880W

Schaltenergie

2.3mJ (on), 600µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

180nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

35ns/143ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 (IXXH)

IRGBC20UD2

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

13A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 6.5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-220-3

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

NGTB30N60L2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

225W

Schaltenergie

310µJ (on), 1.14mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

166nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/390ns

Testbedingung

300V, 30A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

400A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

Leistung - max

540W

Schaltenergie

1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

230nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/150ns

Testbedingung

480V, 50A, 3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

Kürzlich verkauft

MT41J512M8RH-093:E

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TVS DIODE 13.6V 22.5V DO15

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Analog Devices

IC INST AMP 1 CIRCUIT 8SOIC

B160B-13-F

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Diodes Incorporated

DIODE SCHOTTKY 60V 1A SMB

TLP290(GR-TP,SE

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Toshiba Semiconductor and Storage

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SO

TCS-DL004-500-WH

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SUPPRESSOR TCS DUAL 40V 500MA

DTC114EETL

DTC114EETL

Rohm Semiconductor

TRANS PREBIAS NPN 150MW EMT3

MF-R090

MF-R090

Bourns

PTC RESET FUSE 60V 900MA RADIAL

USB2517-JZX-TR

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Microchip Technology

IC USB 2.0 7PORT HUB CTLR 64QFN

ADG1606BCPZ-REEL7

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Analog Devices

IC MULTIPLEXER 1X16 32LFCSP

SI8901D-A01-GS

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Silicon Labs

IC ADC 10BIT SAR 16SOIC

MC7815CTG

MC7815CTG

ON Semiconductor

IC REG LINEAR 15V 1A TO220AB