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STGW35NB60S

STGW35NB60S

Nur als Referenz

Teilenummer STGW35NB60S
PNEDA Teilenummer STGW35NB60S
Beschreibung IGBT 600V 70A 200W TO247
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 2.934
Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Nov 17 - Nov 22 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STGW35NB60S Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW35NB60S
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW35NB60S, STGW35NB60S Datenblatt (Total Pages: 13, Größe: 268,9 KB)
PDFSTGW35NB60S Datenblatt Cover
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STGW35NB60S Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)70A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 20A
Leistung - max200W
Schaltenergie840µJ (on), 7.4mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge83nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.92ns/1.1µs
Testbedingung480V, 20A, 100Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247-3

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

GenX3™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

200A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

600A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

Leistung - max

780W

Schaltenergie

2.7mJ (on), 6.6mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

450nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

39ns/295ns

Testbedingung

480V, 100A, 1.5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PLUS247™-3

APT20GN60BDQ1G

Microsemi

Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

40A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 15V, 20A

Leistung - max

136W

Schaltenergie

230µJ (on), 580µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

9ns/140ns

Testbedingung

400V, 20A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 [B]

IXBL64N250

IXYS

Hersteller

IXYS

Serie

BIMOSFET™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

2500V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

116A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

750A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3V @ 15V, 64A

Leistung - max

500W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

400nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

160ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

ISOPLUSi5-Pak™

Lieferantengerätepaket

ISOPLUSi5-Pak™

NGTB30N60L2WG

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

100A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

60A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.6V @ 15V, 30A

Leistung - max

225W

Schaltenergie

310µJ (on), 1.14mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

166nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

100ns/390ns

Testbedingung

300V, 30A, 30Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

70ns

Betriebstemperatur

175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247-3

HGT1S10N120BNS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

35A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

80A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 10A

Leistung - max

298W

Schaltenergie

320µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

23ns/165ns

Testbedingung

960V, 10A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Kürzlich verkauft

74HC74A

74HC74A

MICROSS/On Semiconductor

IC FF D-TYPE DUAL DIE

MAX3491ESD

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Maxim Integrated

IC TRANSCEIVER FULL 1/1 14SOIC

ARF444

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Microsemi

PWR MOSFET RF N-CH 900V TO-247AD

F55J25R

F55J25R

Ohmite

RES CHAS MNT 25 OHM 5% 55W

LTC4365IDDB#TRMPBF

LTC4365IDDB#TRMPBF

Linear Technology/Analog Devices

IC OVERVOLTAGE PROTECT 8-DFN

NL453232T-3R3J-PF

NL453232T-3R3J-PF

TDK

FIXED IND 3.3UH 355MA 800 MOHM

NM93CS46M8

NM93CS46M8

ON Semiconductor

IC EEPROM 1K SPI 1MHZ 8SO

MAX4162ESA+

MAX4162ESA+

Maxim Integrated

IC OPAMP GP 1 CIRCUIT 8SOIC

L298P

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IC BRIDGE DRIVER PAR 20POWERSO

TOP224PN

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Power Integrations

IC OFFLINE SWIT PWM OCP HV 8DIP

MPXM2010GS

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NXP

SENS PRESSURE 1.45 PSI MAX MPAK

AD9850BRSZ

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IC DDS 125MHZ 10BIT 28SSOP