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STGW15H120F2

STGW15H120F2

Nur als Referenz

Teilenummer STGW15H120F2
PNEDA Teilenummer STGW15H120F2
Beschreibung IGBT H-SERIES 1200V 15A TO-247
Hersteller STMicroelectronics
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STGW15H120F2 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGW15H120F2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGW15H120F2, STGW15H120F2 Datenblatt (Total Pages: 17, Größe: 795,16 KB)
PDFSTGWA15H120F2 Datenblatt Cover
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STGW15H120F2 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
Serie-
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)1200V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)30A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)60A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.6V @ 15V, 15A
Leistung - max259W
Schaltenergie380µJ (on), 370µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge67nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.23ns/111ns
Testbedingung600V, 15A, 10Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

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ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

-

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

80A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

120A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 40A

Leistung - max

268W

Schaltenergie

1.01mJ (on), 297µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

72.2nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

19.2ns/65.6ns

Testbedingung

400V, 40A, 6Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247 Long Leads

RJH60A83RDPD-A0#J2

Renesas Electronics America

Hersteller

Renesas Electronics America

Serie

-

IGBT-Typ

Trench

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 10A

Leistung - max

51W

Schaltenergie

230µJ (on), 160µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19.7nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/54ns

Testbedingung

300V, 10A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

130ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Lieferantengerätepaket

TO-252

SGB07N120ATMA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16.5A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

27A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 8A

Leistung - max

125W

Schaltenergie

1mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

70nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/440ns

Testbedingung

800V, 8A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

PG-TO263-3-2

IGC11T120T8LX1SA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop™

IGBT-Typ

Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.07V @ 15V, 8A

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

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Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

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