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STGB10NB37LZ

STGB10NB37LZ

Nur als Referenz

Teilenummer STGB10NB37LZ
PNEDA Teilenummer STGB10NB37LZ
Beschreibung IGBT 440V 20A 125W D2PAK
Hersteller STMicroelectronics
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Auf Lager 7.920
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Voraussichtliche Lieferung Dez 21 - Dez 26 (Wählen Sie Expressed Shipping)
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STGB10NB37LZ Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTGB10NB37LZ
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
STGB10NB37LZ, STGB10NB37LZ Datenblatt (Total Pages: 15, Größe: 747,03 KB)
PDFSTGB10NB37LZ Datenblatt Cover
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STGB10NB37LZ Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SeriePowerMESH™
IGBT-Typ-
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)440V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)20A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)40A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.8V @ 4.5V, 10A
Leistung - max125W
Schaltenergie2.4mJ (on), 5mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge28nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.1.3µs/8µs
Testbedingung328V, 10A, 1kOhm, 5V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-65°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Paket / FallTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
LieferantengerätepaketD2PAK

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

23A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

92A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 12A

Leistung - max

100W

Schaltenergie

160µJ (on), 200µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

50nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/78ns

Testbedingung

480V, 12A, 23Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IGW25T120FKSA1

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

TrenchStop®

IGBT-Typ

NPT, Trench Field Stop

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

50A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

190W

Schaltenergie

4.2mJ

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

155nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

50ns/560ns

Testbedingung

600V, 25A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFAST™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

48A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

96A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.3V @ 15V, 24A

Leistung - max

150W

Schaltenergie

600µJ (on), 800µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

90nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

25ns/150ns

Testbedingung

480V, 24A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

TO-247AD (IXGH)

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

32A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

36A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.85V @ 15V, 12A

Leistung - max

140W

Schaltenergie

75µJ (on), 225µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

25nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

31ns/83ns

Testbedingung

400V, 12A, 22Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

68ns

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

D2PAK

IRGR4610DTRLPBF

Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

16A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

18A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2V @ 15V, 6A

Leistung - max

77W

Schaltenergie

56µJ (on), 122µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

13nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

27ns/75ns

Testbedingung

400V, 6A, 47Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

74ns

Betriebstemperatur

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Montagetyp

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