STGB10NB37LZ Datenblatt
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Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie 2.4mJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.3µs/8µs Testbedingung 328V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie 2.4mJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.3µs/8µs Testbedingung 328V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Through Hole Paket / Fall TO-220-3 Lieferantengerätepaket TO-220AB |
Hersteller STMicroelectronics Serie PowerMESH™ IGBT-Typ - Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.) 440V Strom - Kollektor (Ic) (max.) 20A Strom - Kollektor gepulst (Icm) 40A Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 4.5V, 10A Leistung - max 125W Schaltenergie 2.4mJ (on), 5mJ (off) Eingabetyp Standard Gate Charge 28nC Td (ein / aus) bei 25 ° C. 1.3µs/8µs Testbedingung 328V, 10A, 1kOhm, 5V Reverse Recovery Time (trr) - Betriebstemperatur -65°C ~ 175°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Paket / Fall TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Lieferantengerätepaket D2PAK |
