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IXGH50N60C2

IXGH50N60C2

Nur als Referenz

Teilenummer IXGH50N60C2
PNEDA Teilenummer IXGH50N60C2
Beschreibung IGBT 600V 75A 400W TO247
Hersteller IXYS
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Auf Lager 7.650
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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IXGH50N60C2 Ressourcen

Marke IXYS
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIXGH50N60C2
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IXGH50N60C2, IXGH50N60C2 Datenblatt (Total Pages: 5, Größe: 166,08 KB)
PDFIXGH50N60C2 Datenblatt Cover
IXGH50N60C2 Datenblatt Seite 2 IXGH50N60C2 Datenblatt Seite 3 IXGH50N60C2 Datenblatt Seite 4 IXGH50N60C2 Datenblatt Seite 5

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IXGH50N60C2 Technische Daten

HerstellerIXYS
SerieHiPerFAST™
IGBT-TypPT
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)600V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)75A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)300A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic2.7V @ 15V, 40A
Leistung - max400W
Schaltenergie380µJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge138nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.18ns/115ns
Testbedingung480V, 40A, 2Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketTO-247AD (IXGH)

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Hersteller

Infineon Technologies

Serie

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

900V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

60A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

90A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

Leistung - max

428W

Schaltenergie

1.8mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

280nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

45ns/556ns

Testbedingung

600V, 30A, 15Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

PG-TO247-3

Hersteller

IXYS

Serie

GenX4™, XPT™

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

650V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

150A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

460A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.2V @ 15V, 110A

Leistung - max

455W

Schaltenergie

2.2mJ (on), 1.05mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

183nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

38ns/156ns

Testbedingung

400V, 55A, 2Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

100ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

ISOPLUS247™

ISL9V2040S3ST

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

EcoSPARK®

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

430V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

10A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

1.9V @ 4V, 6A

Leistung - max

130W

Schaltenergie

-

Eingabetyp

Logic

Gate Charge

12nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-/3.64µs

Testbedingung

300V, 1kOhm, 5V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-40°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Lieferantengerätepaket

TO-263AB

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

55A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

110A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 30A

Leistung - max

200W

Schaltenergie

700µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

100nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

30ns/90ns

Testbedingung

480V, 30A, 4.7Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

50ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

54A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

75A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

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Td (ein / aus) bei 25 ° C.

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Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

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Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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