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IHW30N90TFKSA1

IHW30N90TFKSA1

Nur als Referenz

Teilenummer IHW30N90TFKSA1
PNEDA Teilenummer IHW30N90TFKSA1
Beschreibung IGBT 900V 60A 428W TO247-3
Hersteller Infineon Technologies
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Auf Lager 3.834
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IHW30N90TFKSA1 Ressourcen

Marke Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerIHW30N90TFKSA1
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - IGBTs - Single
Datenblatt
IHW30N90TFKSA1, IHW30N90TFKSA1 Datenblatt (Total Pages: 12, Größe: 288,12 KB)
PDFIHW30N90TFKSA1 Datenblatt Cover
IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 2 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 3 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 4 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 5 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 6 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 7 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 8 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 9 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 10 IHW30N90TFKSA1 Datenblatt Seite 11

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IHW30N90TFKSA1 Technische Daten

HerstellerInfineon Technologies
SerieTrenchStop®
IGBT-TypTrench Field Stop
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)900V
Strom - Kollektor (Ic) (max.)60A
Strom - Kollektor gepulst (Icm)90A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic1.7V @ 15V, 30A
Leistung - max428W
Schaltenergie1.8mJ (off)
EingabetypStandard
Gate Charge280nC
Td (ein / aus) bei 25 ° C.45ns/556ns
Testbedingung600V, 30A, 15Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr)-
Betriebstemperatur-40°C ~ 175°C (TJ)
MontagetypThrough Hole
Paket / FallTO-247-3
LieferantengerätepaketPG-TO247-3

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Hersteller

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Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

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Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

20A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

30A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 5A

Leistung - max

60W

Schaltenergie

55µJ (on), 85µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

19nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

17ns/72ns

Testbedingung

390V, 5A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

*

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

-

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

-

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

-

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

-

Leistung - max

-

Schaltenergie

-

Eingabetyp

-

Gate Charge

-

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

-

Testbedingung

-

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Paket / Fall

-

Lieferantengerätepaket

-

Hersteller

IXYS

Serie

-

IGBT-Typ

PT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

70A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

140A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.6V @ 15V, 35A

Leistung - max

300W

Schaltenergie

5mJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

120nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

36ns/160ns

Testbedingung

960V, 35A, 5Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

40ns

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Paket / Fall

TO-247-3

Lieferantengerätepaket

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Hersteller

Microsemi Corporation

Serie

-

IGBT-Typ

NPT

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

1200V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

75A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

100A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

3.2V @ 15V, 25A

Leistung - max

521W

Schaltenergie

742µJ (on), 427µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

203nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

16ns/122ns

Testbedingung

600V, 25A, 4.3Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

-

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Lieferantengerätepaket

D3Pak

STGP3NB60F

STMicroelectronics

Hersteller

STMicroelectronics

Serie

PowerMESH™

IGBT-Typ

-

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchschlag (max.)

600V

Strom - Kollektor (Ic) (max.)

6A

Strom - Kollektor gepulst (Icm)

24A

Vce (on) (Max) @ Vge, Ic

2.4V @ 15V, 3A

Leistung - max

68W

Schaltenergie

125µJ (off)

Eingabetyp

Standard

Gate Charge

16nC

Td (ein / aus) bei 25 ° C.

12.5ns/105ns

Testbedingung

480V, 3A, 10Ohm, 15V

Reverse Recovery Time (trr)

45ns

Betriebstemperatur

150°C (TJ)

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