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STD5N20LT4

STD5N20LT4

Nur als Referenz

Teilenummer STD5N20LT4
PNEDA Teilenummer STD5N20LT4
Beschreibung MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Hersteller STMicroelectronics
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Lager Shipped from Hong Kong SAR
Voraussichtliche Lieferung Dez 29 - Jan 3 (Wählen Sie Expressed Shipping)
Guarantee Bis zu 1 Jahr [PNEDA-Garantie] *

STD5N20LT4 Ressourcen

Marke STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerSTD5N20LT4
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
STD5N20LT4, STD5N20LT4 Datenblatt (Total Pages: 10, Größe: 268,13 KB)
PDFSTD5N20LT4 Datenblatt Cover
STD5N20LT4 Datenblatt Seite 2 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 3 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 4 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 5 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 6 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 7 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 8 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 9 STD5N20LT4 Datenblatt Seite 10

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STD5N20LT4 Technische Daten

HerstellerSTMicroelectronics
SerieSTripFET™
FET-TypN-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)200V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.5A (Tc)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 2.5A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id2.5V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 5V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds242pF @ 25V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)33W (Tc)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
LieferantengerätepaketDPAK
Paket / FallTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Die Produkte, an denen Sie interessiert sein könnten

Hersteller

IXYS

Serie

HiPerFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

1000V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

26A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

320mOhm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

1V @ 4mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

113nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

3290pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

860mW (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-268HV (IXFT)

Paket / Fall

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

FQB12N50TM_AM002

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

QFET®

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

500V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

12.1A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

490mOhm @ 6.05A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

51nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2020pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

3.13W (Ta), 179W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D²PAK (TO-263AB)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SIHP7N60E-E3

Vishay Siliconix

Hersteller

Vishay Siliconix

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

7A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

600mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

40nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

680pF @ 100V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

78W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Through Hole

Lieferantengerätepaket

TO-220AB

Paket / Fall

TO-220-3

FCD5N60TM-WS

ON Semiconductor

Hersteller

ON Semiconductor

Serie

SuperFET™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

4.6A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

950mOhm @ 2.3A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (Max)

±30V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

600pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

54W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

D-Pak

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

DMN4009LK3-13

Diodes Incorporated

Hersteller

Diodes Incorporated

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

18A (Ta)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8.5mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2072pF @ 20V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.19W (Ta)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-252-3

Paket / Fall

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Kürzlich verkauft

CM1213-08MR

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ON Semiconductor

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IC PWR SUPP CTRLR MONITOR 64QFN

LTC1453CS8#PBF

LTC1453CS8#PBF

Linear Technology/Analog Devices

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AUIRF1010ZS

AUIRF1010ZS

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MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK

HX5401NL

HX5401NL

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XFRMR MODL 4PORT POE GIGABIT

BAT54A-7-F

BAT54A-7-F

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DIODE ARRAY SCHOTTKY 30V SOT23-3

MBR0520LT1G

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DIODE SCHOTTKY 20V 500MA SOD123

LT1764EQ#TRPBF

LT1764EQ#TRPBF

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DSPIC30F4011-30I/PT

DSPIC30F4011-30I/PT

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FPF2125

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