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AO4411

AO4411

Nur als Referenz

Teilenummer AO4411
PNEDA Teilenummer AO4411
Beschreibung MOSFET P-CH 30V 8A 8SOIC
Hersteller Alpha & Omega Semiconductor
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Auf Lager 6.966
Lager Shipped from Hong Kong SAR
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AO4411 Ressourcen

Marke Alpha & Omega Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. ArtikelnummerAO4411
KategorieHalbleiterTransistorenTransistoren - FETs, MOSFETs - Single
Datenblatt
AO4411, AO4411 Datenblatt (Total Pages: 6, Größe: 608,88 KB)
PDFAO4411L Datenblatt Cover
AO4411L Datenblatt Seite 2 AO4411L Datenblatt Seite 3 AO4411L Datenblatt Seite 4 AO4411L Datenblatt Seite 5 AO4411L Datenblatt Seite 6

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AO4411 Technische Daten

HerstellerAlpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie-
FET-TypP-Channel
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)30V
Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.8A (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs32mOhm @ 8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 10V
Vgs (Max)±20V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds760pF @ 15V
FET-Funktion-
Verlustleistung (max.)3.1W (Ta)
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
MontagetypSurface Mount
Lieferantengerätepaket8-SOIC
Paket / Fall8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Alpha & Omega Semiconductor

Hersteller

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

Serie

-

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

75V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

21.5A (Ta), 140A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.3mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

3V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

215nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

10350pF @ 37.5V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

2.1W (Ta), 500W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

TO-263 (D²Pak)

Paket / Fall

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

SSM5H16TU,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

Hersteller

Toshiba Semiconductor and Storage

Serie

*

FET-Typ

-

Technologie

-

Drain to Source Voltage (Vdss)

-

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

-

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

-

Rds On (Max) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (Max) @ Id

-

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

-

Vgs (Max)

-

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

-

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

-

Montagetyp

-

Lieferantengerätepaket

-

Paket / Fall

-

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Infineon Technologies

Hersteller

Infineon Technologies

Serie

OptiMOS™

FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

55V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.7mOhm @ 40A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2V @ 93µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

80nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

2075pF @ 25V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

158W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Paket / Fall

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Hersteller

ON Semiconductor

Serie

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FET-Typ

N-Channel

Technologie

MOSFET (Metal Oxide)

Drain to Source Voltage (Vdss)

60V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

14A (Ta), 80A (Tc)

Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

6mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 250µA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

135nC @ 10V

Vgs (Max)

±20V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

6625pF @ 15V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

242W (Tc)

Betriebstemperatur

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montagetyp

Surface Mount

Lieferantengerätepaket

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Drain to Source Voltage (Vdss)

80V

Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C.

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Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)

5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

25mOhm @ 6A, 5V

Vgs (th) (Max) @ Id

2.5V @ 2mA

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

2.4nC @ 5V

Vgs (Max)

+6V, -4V

Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds

210pF @ 40V

FET-Funktion

-

Verlustleistung (max.)

-

Betriebstemperatur

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Surface Mount

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