STD5N20LT4 Datenblatt
STD5N20LT4 Datenblatt
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STMicroelectronics
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STD5N20LT4
STMicroelectronics Hersteller STMicroelectronics Serie STripFET™ FET-Typ N-Channel Technologie MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 200V Strom - Kontinuierliche Entleerung (Id) bei 25 ° C. 5A (Tc) Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 5V Rds On (Max) @ Id, Vgs 700mOhm @ 2.5A, 5V Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 50µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 5V Vgs (Max) ±20V Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds 242pF @ 25V FET-Funktion - Verlustleistung (max.) 33W (Tc) Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Montagetyp Surface Mount Lieferantengerätepaket DPAK Paket / Fall TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |